[发明专利]半导体封装在审
申请号: | 202210835458.3 | 申请日: | 2022-07-15 |
公开(公告)号: | CN115692378A | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | 李铣浩;姜明成 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/538 | 分类号: | H01L23/538;H01L23/18;H01L25/04;H01L23/482 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 屈玉华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
1.一种半导体封装,包括:
第一半导体芯片;
第二半导体芯片,顺序堆叠在所述第一半导体芯片上;
前连接焊盘,在每个所述第二半导体芯片的下表面上;
后连接焊盘,附接到所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中的每个的上表面;
芯片连接端子,在所述前连接焊盘和所述后连接焊盘之间;以及
支撑结构,在所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之一之间以及在所述第二半导体芯片中的相邻的第二半导体芯片之间,所述支撑结构:
与所述前连接焊盘、所述后连接焊盘和所述芯片连接端子间隔开,
具有比所述芯片连接端子的垂直高度大的垂直高度,以及
包括金属。
2.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述支撑结构包括:
第一支撑柱,附接到每个所述第二半导体芯片的所述下表面,以及
第二支撑柱,附接到所述第一半导体芯片的所述上表面或所述第二半导体芯片中的相应第二半导体芯片的所述上表面,所述第二半导体芯片的所述上表面与所述第二半导体芯片的所述下表面相反。
3.根据权利要求2所述的半导体封装,其中所述第一支撑柱的下表面接触所述第二支撑柱的上表面。
4.根据权利要求2所述的半导体封装,其中所述第一支撑柱具有基本上等于所述第二支撑柱的厚度的厚度。
5.根据权利要求2所述的半导体封装,其中:
所述第二支撑柱具有大于所述第一支撑柱的厚度的厚度,以及
所述前连接焊盘具有基本上等于所述第一支撑柱的所述厚度的厚度。
6.根据权利要求2所述的半导体封装,其中:
所述第一支撑柱具有大于所述第二支撑柱的厚度的厚度,以及
所述后连接焊盘具有基本上等于所述第二支撑柱的所述厚度的厚度。
7.根据权利要求2所述的半导体封装,其中所述支撑结构进一步包括在所述第一支撑柱的下表面和所述第二支撑柱的上表面之间的缓冲层,所述缓冲层由有机材料形成。
8.根据权利要求7所述的半导体封装,其中所述缓冲层的厚度小于所述芯片连接端子的所述垂直高度。
9.根据权利要求1所述的半导体封装,其中:
所述第一半导体芯片包括第一衬底和在所述第一衬底的下表面上的第一布线层,所述第一衬底的所述下表面是所述第一半导体芯片的有源表面,
每个所述第二半导体芯片包括第二衬底和在所述第二衬底的下表面上的第二布线层,所述第二衬底的所述下表面是所述第二半导体芯片的有源表面,并且所述第二布线层包括布线图案、连接到所述布线图案的布线通路、以及围绕所述布线图案和所述布线通路的布线间绝缘层,以及
所述前连接焊盘和所述支撑结构接触所述布线图案。
10.根据权利要求1所述的半导体封装,进一步包括:
前虚设焊盘,在每个所述第二半导体芯片的所述下表面上,并与所述前连接焊盘和所述支撑结构间隔开;
后虚设焊盘,附接到所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中的每个的所述上表面,并与所述后连接焊盘和所述支撑结构间隔开;以及
虚设连接端子,在所述前虚设焊盘和所述后虚设焊盘之间,
其中所述支撑结构具有大于所述前连接焊盘、所述前虚设焊盘、所述后连接焊盘和所述后虚设焊盘的水平宽度的水平宽度。
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