[发明专利]半导体封装

说明书

一种半导体封装，包括：第一半导体芯片；顺序堆叠在第一半导体芯片上的第二半导体芯片；在每个第二半导体芯片的下表面上的前连接焊盘；附接到第一半导体芯片和第二半导体芯片中的每个的上表面的后连接焊盘；在前连接焊盘和后连接焊盘之间的芯片连接端子；以及在第一半导体芯片与第二半导体芯片之一之间以及在第二半导体芯片中的相邻的第二半导体芯片之间的支撑结构，该支撑结构与前连接焊盘、后连接焊盘和芯片连接端子间隔开，具有比芯片连接端子的垂直高度大的垂直高度，以及包括金属。

技术领域

实施方式涉及半导体封装。

背景技术

随着电子工业的快速发展和用户的需求，电子产品中使用的半导体封装可提供高性能并包括各种功能，因此，已考虑包括多个半导体芯片的半导体封装。

发明内容

可以通过提供半导体封装实现实施方式，该半导体封装包括：第一半导体芯片；顺序堆叠在第一半导体芯片上的第二半导体芯片；在每个第二半导体芯片的下表面上的前连接焊盘；附接到第一半导体芯片和第二半导体芯片中的每个的上表面的后连接焊盘；在前连接焊盘和后连接焊盘之间的芯片连接端子；以及在第一半导体芯片与第二半导体芯片之一之间以及在第二半导体芯片中的相邻的第二半导体芯片之间的支撑结构，该支撑结构与前连接焊盘、后连接焊盘和芯片连接端子间隔开，具有比芯片连接端子的垂直高度大的垂直高度，以及包括金属。

可以通过提供半导体封装实现实施方式，该半导体封装包括：中介层；安装在中介层上的第一半导体芯片；顺序堆叠在第一半导体芯片上的第二半导体芯片；在每个第二半导体芯片的下表面上的前连接焊盘；附接到第一半导体芯片和第二半导体芯片中的每个的上表面的后连接焊盘；在前连接焊盘和后连接焊盘之间的芯片连接端子；在第一半导体芯片与第二半导体芯片之一之间以及在第二半导体芯片中的相邻的第二半导体芯片之间的支撑结构，该支撑结构包括金属并且包括附接到每个第二半导体芯片的下表面的第一支撑柱、以及附接到第一半导体芯片的上表面或第二半导体芯片中的相应第二半导体芯片的上表面的第二支撑柱，第二半导体芯片的上表面与第二半导体芯片的下表面相反；在第一半导体芯片与第二半导体芯片之一之间以及在第二半导体芯片中的相邻的第二半导体芯片之间的绝缘粘合层，该绝缘粘合层围绕芯片连接端子和支撑结构，并且具有基本上等于支撑结构的厚度的厚度；以及在第一半导体芯片上并围绕第二半导体芯片和绝缘粘合层的模制层。

可以通过提供半导体封装实现实施方式，该半导体封装包括：再分布层(RDL)中介层；缓冲芯片，包括第一衬底、穿透第一衬底的至少一部分的第一贯通电极、以及第一布线层，该第一布线层在第一衬底的有源表面上并且包括第一布线图案、第一布线通路以及围绕第一布线图案和第一布线通路的第一布线间绝缘层，该缓冲芯片附接到RDL中介层，其中第一衬底的有源表面面向RDL中介层；存储单元芯片，每个存储单元芯片包括第二衬底、穿透第二衬底的至少一部分的第二贯通电极、和第二布线层，第二布线层在第二衬底的有源表面上并且包括第二布线图案、第二布线通路以及围绕第二布线图案和第二布线通路的第二布线间绝缘层，存储单元芯片顺序堆叠在缓冲芯片上并且第二衬底的有源表面面向缓冲芯片；附接到第二布线层的下表面的前连接焊盘；附接到第一衬底的无源表面和第二衬底的无源表面的后连接焊盘；在缓冲芯片和存储单元芯片之间以及在前连接焊盘和后连接焊盘之间的芯片连接端子；支撑结构，在缓冲芯片和存储单元芯片之一之间以及在存储单元芯片中的相邻的存储单元芯片之间，每个支撑结构包括金属并且包括第一支撑柱和第二支撑柱，第一支撑柱与前连接焊盘间隔开并且接触第二布线图案中的一些第二布线图案，第二支撑柱与后连接焊盘间隔开并且接触第二贯通电极中的一些第二贯通电极；绝缘粘合层，在缓冲芯片与存储单元芯片之一之间以及在存储单元芯片中的相邻的存储单元芯片之间，并围绕芯片连接端子和支撑结构，每个绝缘粘合层具有基本上等于每个支撑结构的厚度的厚度；以及在缓冲芯片上并围绕存储单元芯片和绝缘粘合层的模制层。

附图说明

通过参考附图对示例性实施方式进行详细描述，本领域技术人员可清楚了解本发明的特征，其中：