[发明专利]一种OLED的封装结构及其方法

权利要求书

1.一种OLED的封装结构，其特征在于：其包括由上至下依次设置的玻璃盖板、OLED器件膜层和基板玻璃；OLED器件膜层设在基板玻璃上表面的中间位置，基板玻璃上表面围绕OLED器件膜层的四周铺设有一层氧化硅或氮化硅膜层，氧化硅或氮化硅膜层上开设有环形封装沟槽，封装沟槽电镀有一圈金属铟，玻璃盖板底面对应封装沟槽网印有Frit胶，Frit胶和金属铟在环形封装沟槽内压合封装。

2.根据权利要求1所述的一种OLED的封装结构，其特征在于：Frit胶的宽度小于封装沟槽宽度。

3.根据权利要求1所述的一种OLED的封装结构，其特征在于：压合封装后的金属铟填充封装沟槽。

4.一种OLED的封装结构的封装方法，应用于权利要求1至3任一项所述的一种OLED的封装结构，其特征在于：方法包括以下步骤：

步骤1，在玻璃盖板底面网印Frit胶，Frit胶的宽度小于封装沟槽宽度；

步骤2，对TFT基板玻璃的表面进行抛光和清洗后，在TFT基板玻璃表面对应OLED器件膜层的周围铺设一层氧化硅或氮化硅膜层，并在氧化硅或氮化硅膜层上设置封装沟槽；

步骤3，在封装沟槽内电镀一圈金属铟并对金属铟表面抛光清洗；

步骤4，将TFT基板玻璃与玻璃盖板对位，利用压合装置和加热平台进行压合封装，使得Frit胶挤压金属铟，并由金属铟填充环形封装沟槽。

5.根据权利要求4所述的一种OLED的封装结构的封装方法，其特征在于： Frit胶的实际厚度及宽度根据制程要求调整。

6.根据权利要求4所述的一种OLED的封装结构的封装方法，其特征在于：步骤1中Frit胶的胶厚度为5-6微米；

Frit胶的胶宽为0.8毫米。

7.根据权利要求4所述的一种OLED的封装结构的封装方法，其特征在于：步骤2中氧化硅或氮化硅膜层的厚度为1-3微米。

8.根据权利要求4所述的一种OLED的封装结构的封装方法，其特征在于：步骤2中封装沟槽宽度为1.5-2毫米。

9.根据权利要求4所述的一种OLED的封装结构的封装方法，其特征在于：步骤3中金属铟的宽度小于沟槽宽度，金属铟的厚度为2-3微米。

10.根据权利要求4所述的一种OLED的封装结构的封装方法，其特征在于：步骤3中压合装置的施加压力范围为1-8KN，产生超声波范围为30-120HZ，加热平台的加热范围为30-100℃。