[发明专利]一种OLED的封装结构及其方法

说明书

本发明公开一种OLED的封装结构及其方法，结构包括由上至下依次设置的玻璃盖板、OLED器件膜层和基板玻璃；OLED器件膜层设在基板玻璃上表面的中间位置，基板玻璃上表面围绕OLED器件膜层的四周铺设有一层氧化硅或氮化硅膜层，氧化硅或氮化硅膜层上开设有环形封装沟槽，封装沟槽电镀有一圈金属铟，玻璃盖板底面对应封装沟槽网印有Frit胶，Frit胶和金属铟在环形封装沟槽内压合封装。本发明的冷铟封接结构用于改善Frit胶貌，使得Frit胶的封装效果更强，同时避免了高温熔接带来的问题。

技术领域

本发明涉及OLED封装技术领域，尤其涉及一种OLED的封装结构及其方法。

背景技术

有机发光二极管(OLED)以低功率驱动，视角广、对比度高和响应速度快等优点，而备受国际显示行业追捧。在OLED显示技术中，封装工艺直接影响到OLED产品的良率、寿命、光电性能等指标。目前业内的OLED封装技术主要有薄膜封装和盖板玻璃封装两种。刚性OLED较为常用的是Frit封装，其制程是在盖板玻璃上印刷一层Frit胶，通过烘烤形成干胶，再与TFT背板压合，后使用镭射熔接技术烧结Frit胶，使得盖板与背板贴合，形成严密的封装效果，阻隔水氧的侵入。铟是一种银灰色，质地极软的易熔金属，熔点156.61℃。沸点2060℃。密度7.30g/cm3,其可塑性强，有延展性。与空气中的水氧作用缓慢；金属铟主要用于制造低熔合金、轴承合金、半导体、电光源等的原料。

在Frit封装工艺中，Frit胶的形貌会直接影响镭射封装的效果，若形貌存在缺陷会导致封装寿命缩减甚至封装失效，从而引起水氧侵入，OLED器件失效等问题，同时传统的Frit胶封装使用镭射激光熔接，其产生的高温容易损坏OLED的部分金属膜层。

发明内容

本发明的目的在于提供一种OLED的封装结构及其方法。

本发明采用的技术方案是：

一种OLED的封装结构，其包括由上至下依次设置的玻璃盖板、OLED器件膜层和基板玻璃；OLED器件膜层设在基板玻璃上表面的中间位置，基板玻璃上表面围绕OLED器件膜层的四周铺设有一层氧化硅或氮化硅膜层，氧化硅或氮化硅膜层上开设有环形封装沟槽，封装沟槽电镀有一圈金属铟，玻璃盖板底面对应封装沟槽网印有Frit胶，Frit胶和金属铟在环形封装沟槽内压合封装。

进一步地，Frit胶的宽度小于封装沟槽宽度。

进一步地，压合封装后的金属铟填充封装沟槽。

一种OLED的封装结构的封装方法，其包括以下步骤：

步骤1，在玻璃盖板底面网印Frit胶，Frit胶的宽度小于封装沟槽宽度；

步骤2，对TFT基板玻璃的表面进行抛光清洗后放置于加热平台，保证TFT基板玻璃的表面干燥、光滑、无污染；并处理后的TFT基板玻璃上对应OLED器件膜层的周围铺设一层氧化硅或氮化硅膜层；氧化硅或氮化硅膜层上设置封装沟槽；

步骤3，在封装沟槽内电镀一圈金属铟并对金属铟表面抛光清洗，且保证表面干燥、光滑、无污染；

步骤4，将TFT基板玻璃与玻璃盖板对位，利用压合装置和加热平台进行压合封装。

进一步地，步骤1中Frit胶的胶厚度为5-6微米，Frit胶的胶宽选择为0.8毫米，Frit胶的实际厚度及宽度可根据制程要求做调整；且胶材表面应干净、干燥。

进一步地，步骤2中氧化硅或氮化硅膜层的厚度为1-3微米。

进一步地，步骤2中封装沟槽宽度为1.5-2毫米。

进一步地，步骤3中金属铟的宽度小于沟槽宽度，金属铟的厚度为2-3微米。

进一步地，步骤3中压合装置的施加压力范围为1-8KN，产生超声波范围为30-120HZ，加热平台的加热范围为30-100℃。