[发明专利]一种BMS-AFF低边驱动转高边驱动的装置和方法

权利要求书

1.一种BMS-AFF低边驱动转高边驱动的装置，其特征在于：包括自锁式低功耗导通速度可调电路模块(10)、自锁式低功耗关断速度可调电路模块(20)以及受控PMONS管Q3；所述自锁式低功耗导通速度可调电路模块(10)、自锁式低功耗关断速度可调电路模块(20)同时作用于受控PMONS管Q3，现有的DSG-EN接入端口/CHG-EN端口/PCHG-EN端口/PDSG-EN端口分别和自锁式低功耗导通速度可调电路模块(10)、自锁式低功耗关断速度可调电路模块(20)连接。

2.根据权利要求1所述的BMS-AFF低边驱动转高边驱动的装置，其特征在于：所述自锁式低功耗导通速度可调电路模块(10)包括第一驱动电平翻转电路(11)、导通速度控制电路(12)、PMOS管充电电路(13)、导通时间控制模块(14)、第一稳态低功耗电路(15)以及自锁关断电路复位电路(16)，其中，所述第一驱动电平翻转电路(11)一端接地，另一端连接导通速度控制电路(12)，后连接PMOS管充电电路(13)作用于受控PMONS管Q3，DSG-EN接入端口/CHG-EN端口/PCHG-EN端口/PDSG-EN端口和所述导通时间控制模块(14)连接，所述导通时间控制模块(14)和第一稳态低功耗电路(15)连接，DSG-EN接入端口/CHG-EN端口/PCHG-EN端口/PDSG-EN端口和自锁关断电路复位电路(16)。

3.根据权利要求2所述的BMS-AFF低边驱动转高边驱动的装置，其特征在于：所述自锁式低功耗导通速度可调电路模块(10)包括一稳压二极管ZD3的K端和CHG_EN端口的受控PMOS管Q3的S端口连接；所述稳压二极管ZD3的A端并联第六电阻R6后和受控PMOS管Q3的G端口连接；第二十电阻R20的一端和受控PMOS管Q3的G端口连接，另一端和第十三三极管Q13的E极连接，所述第十三三极管Q13的B极一路通过第二十二电阻R22和E极连接；所述第十三三极管Q13的B极的另一路连接第三电容C3后连接在第十PMOS管Q10的D端口；第十三三极管Q13的C极的一路通过第十电阻R10和E极连接，第十三三极管Q13的C极的另一路和第十PMOS管Q10的D端口。

4.根据权利要求4所述的BMS-AFF低边驱动转高边驱动的装置，其特征在于：所述第二十电阻R20的阻值、第三电容C3的大小来调节充电速度。

5.根据权利要求1所述的BMS-AFF低边驱动转高边驱动的装置，其特征在于：所述自锁式低功耗关断速度可调电路模块(20)包括第二驱动电平翻转电路(21)、关断速度控制电路(22)、PMOS管放电电路(23)、关断时间控制电路(24)、第二稳态低功耗电路(25)以及导通复位电路(26)，其中，所述第二驱动电平翻转电路(21)一端接地，另一端和关断速度控制电路(22)连接，所述关断速度控制电路(22)和PMOS管放电电路(23)作用于所述受控PMONS管Q3；DSG-EN接入端口/CHG-EN端口/PCHG-EN端口/PDSG-EN端口和关断时间控制电路(24)连接，所述关断时间控制电路(24)和第二稳态低功耗电路(25)连接；DSG-EN接入端口/CHG-EN端口/PCHG-EN端口/PDSG-EN端口和导通复位电路(26)连接。

6.根据权利要求6所述的BMS-AFF低边驱动转高边驱动的装置，其特征在于：所述自锁式低功耗关断速度可调电路模块(20)包括：第五三极管Q5的发射极E和PMONS管Q3的S端口连接，所述第五三极管Q5的集电极C和PMONS管Q3的G端口连接，所述第五三极管Q5的基极B串接第十二电阻R12后和第九PMOS管Q9的D端口连接，所述第九PMOS管Q9的G端口的一路串接第十八电阻R18接地；所述第九PMOS管Q9的G端口的另一路串接第十六电阻R16和第七三极管Q7的集电极C连接，所述第七三极管Q7的发射极E的一路连接第四电容C4接地；所述第七三极管Q7的发射极E的另一路连接第二二极管D2，串接第八电阻R8和所述第七三极管Q7的基极B连接，通过第十四电阻R14和CHG_EN连接。