[发明专利]一种BMS-AFF低边驱动转高边驱动的装置和方法在审

专利信息
申请号: 202210843150.3 申请日: 2022-07-18
公开(公告)号: CN115118263A 公开(公告)日: 2022-09-27
发明(设计)人: 陈伟虎 申请(专利权)人: 深圳鹏申科技有限公司
主分类号: H03K17/296 分类号: H03K17/296;H03K17/687;H01M10/42
代理公司: 深圳市盛果果知识产权代理事务所(普通合伙) 44756 代理人: 吴俊莹
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 bms aff 驱动 转高边 装置 方法
【说明书】:

发明公开了一种BMS‑AFF低边驱动转高边驱动的装置和方法,该装置包括自锁式低功耗导通速度可调电路模块、自锁式低功耗关断速度可调电路模块以及受控PMONS管Q3;所述自锁式低功耗导通速度可调电路模块、自锁式低功耗关断速度可调电路模块同时作用于受控PMONS管Q3,现有的DSG‑EN接入端口/CHG‑EN端口/PCHG‑EN端口/PDSG‑EN端口分别和自锁式低功耗导通速度可调电路模块、自锁式低功耗关断速度可调电路模块连接,本发明可依据实际应用场景选择合适的导通驱动速度和关断驱动速度;且驱动电路本身没有额外的功耗,满足低功耗应用要求的场景。

技术领域

本发明涉及BMS-AFF驱动领域,特别涉及一种BMS-AFF低边驱动转高边的驱动装置和方法。

背景技术

BMS(电池管理系统Battery Control System)是专门开发用于管理二次电池的一种系统,它不仅仅用于汽车上,还应用在很多使用二次电池的领域。

现有可充电电池包BMS中使用低边驱动方案的AFE芯片是不能直接应用于高边驱动的场景,如果需要使用现有AFE低边驱动方案来实现高边驱动,那么需要使用转换电路,如图1所示:现有技术中有广泛使用的带电荷泵的低边转高边驱动NMOS的驱动转换IC(如TIBQ76200),但在较小电流的应用场景,如几个安培级,同规格的PMOS和NMOS的价差已经和低边转高边的电荷泵驱动转换驱动IC的价格相当了,甚至更高,而且驱动高边NMOS的电荷泵电路本身会额外耗电,所以这个场景下低边转高边驱动PMOS会更经济更实用。

发明内容

本发明为了解决上述技术问题,提供了低成本低、功耗低的低边驱动转高边驱动的驱动装置和方法。

为了实现上述目的,本发明提供以下技术方案:一种BMS-AFF低边驱动转高边驱动的装置,包括自锁式低功耗导通速度可调电路模块、自锁式低功耗关断速度可调电路模块以及受控PMONS管Q3;所述自锁式低功耗导通速度可调电路模块、自锁式低功耗关断速度可调电路模块同时作用于受控PMONS管Q3,现有的DSG-EN接入端口/CHG-EN端口/PCHG-EN端口/PDSG-EN端口分别和自锁式低功耗导通速度可调电路模块、自锁式低功耗关断速度可调电路模块连接。

其中,优选方案为:所述自锁式低功耗导通速度可调电路模块包括第一驱动电平翻转电路、导通速度控制电路、PMOS管充电电路、导通时间控制模块、第一稳态低功耗电路以及自锁关断电路复位电路,其中,所述第一驱动电平翻转电路一端接地,另一端连接导通速度控制电路,后连接PMOS管充电电路作用于受控PMONS管Q3,DSG-EN接入端口/CHG-EN端口/PCHG-EN端口/PDSG-EN端口和所述导通时间控制模块连接,所述导通时间控制模块和第一稳态低功耗电路连接,DSG-EN接入端口/CHG-EN端口/PCHG-EN端口/PDSG-EN端口和自锁关断电路复位电路。

其中,优选方案为:第一、二驱动电平翻转电路为继电器、光耦、BJT电子开关。

其中,优选方案为:所述自锁式低功耗导通速度可调电路模块包括一稳压二极管ZD3的K端和CHG_EN端口的受控PMOS管Q3的S端口连接;所述稳压二极管ZD3的A端并联第六电阻R6后和受控PMOS管Q3的G端口连接;第二十电阻R20的一端和受控PMOS管Q3的G端口连接,另一端和第十三三极管Q13的E极连接,所述第十三三极管Q13的基极B一路通过第二十二电阻R22和E极连接;所述第十三三极管Q13的B极的另一路连接第三电容C3后连接在第十PMOS管Q10的D端口;第十三三极管Q13的C极的一路通过第十电阻R10和E极连接,第十三三极管Q13的C极的另一路和第十PMOS管Q10的D端口,所述第二十电阻R20的阻值、第三电容C3的大小来调节充电速度。

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