[发明专利]半导体结构及半导体结构的制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底表面具有阵列排布的有源柱，所述有源柱包括沟道区以及位于所述沟道区上下两侧的顶部掺杂区以及底部掺杂区；

字线，所述字线沿第一方向延伸，且环绕沿所述第一方向排布的一行所述有源柱的沟道区；

位线，所述位线沿第二方向延伸，且与沿所述第二方向排布的一列所述有源柱的底部掺杂区电连接，在背离所述基底表面的方向上，所述位线在与其连接的相邻所述有源柱的底部之间具有凹槽；

字线隔离结构，所述字线隔离结构位于相邻的所述字线之间，所述字线隔离结构包括：主体和由所述主体底部延伸出的凸出部，所述凸出部嵌入于所述凹槽；

其中，所述第一方向与所述第二方向相互垂直，且均平行于所述基底表面。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在沿所述第二方向上，所述凸出部的宽度尺寸大于所述主体的宽度尺寸。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，在沿所述第二方向上，所述凸出部的最大宽度尺寸与所述主体的宽度尺寸之比为1.5～2。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，在沿所述第二方向上，所述凸出部的宽度尺寸为5～20nm。

5.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，在垂直于基底表面方向上，所述主体的高度尺寸与所述凸出部的高度尺寸之比为5～10。

6.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，在沿背离所述基底表面的方向上，所述主体在所述第二方向上的宽度尺寸逐渐减小。

7.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：缓冲层，所述缓冲层位于所述凸出部与所述位线之间，所述缓冲层还包覆所述凸出部并填充所述凸出部与所述凹槽之间的空隙。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凸出部填满所述凹槽。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：盖层，所述盖层位于所述字线隔离结构远离所述基底的一侧，且所述盖层还覆盖所述字线的顶部，且填充相邻所述顶部掺杂区之间的间隙。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：栅氧层，所述栅氧层位于所述沟道区与所述字线之间。

11.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述位线的材料包括：金属硅化物或者金属中的至少一种。

12.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底表面形成阵列排布的有源柱，所述有源柱包括沟道区以及位于所述沟道区上下两侧的顶部掺杂区以及底部掺杂区；

形成位线，所述位线沿第二方向延伸，且与沿所述第二方向排布的一列所述有源柱的底部掺杂区电连接，在背离所述基底表面的方向上，所述位线在与其连接的相邻所述有源柱的底部之间具有凹槽；

形成字线隔离结构，所述字线隔离结构沿第一方向延伸，所述第一方向与所述第二方向相互垂直，且均平行于所述基底表面，所述字线隔离结构包括：主体和由所述主体底部延伸出的凸出部，所述凸出部嵌入于所述凹槽；

形成字线，所述字线沿所述第一方向延伸，且环绕沿所述第一方向排布的一行所述有源柱的沟道区，所述字线隔离结构位于相邻的所述字线之间。