[发明专利]半导体结构及半导体结构的制备方法

说明书

本公开实施例涉及一种半导体结构及半导体结构的制备方法，半导体结构包括：基底，基底表面具有阵列排布的有源柱，有源柱包括沟道区以及位于沟道区上下两侧的顶部掺杂区以及底部掺杂区；字线，字线沿第一方向延伸，且环绕沿第一方向排布的一行有源柱的沟道区；位线，位线沿第二方向延伸，且与沿第二方向排布的一列有源柱的底部掺杂区电连接，在背离基底表面的方向上，位线在与其连接的相邻有源柱的底部之间具有凹槽；字线隔离结构，字线隔离结构位于相邻的字线之间，字线隔离结构包括：主体和由主体底部延伸出的凸出部，凸出部嵌入于凹槽。本公开实施例有利于改善字线隔离结构容易歪曲或者倾斜的问题。

技术领域

本公开实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构及半导体结构的制备方法。

背景技术

随着动态存储器的集成密度朝着更高的方向发展，对动态存储器阵列结构中晶体管的排布方式以及晶体管尺寸产生了更高的要求。全环绕栅极晶体管结构作为动态存储器中的晶体管时，可在给定工艺条件下可获得较小的图案尺寸，有利于增加动态存储器的集成密度。

通常，当半导体结构中集成有多个晶体管时，为了提高集成度，可以设置一条字线控制多个晶体管。基于此，需要在相邻的字线之间设置字线隔离结构，防止相邻的字线之间短路。

然而，目前的半导体结构及其制作工艺中，字线隔离结构容易发生歪曲、倾倒甚至断裂的问题。

发明内容

本公开实施例提供的半导体结构及半导体结构的制备方法，至少有利于改善用于隔离相邻字线的字线隔离结构容易歪曲或者倾斜的问题。

本公开实施例提供能一种半导体结构，包括：基底，基底表面具有阵列排布的有源柱，有源柱包括沟道区以及位于沟道区上下两侧的顶部掺杂区以及底部掺杂区；字线，字线沿第一方向延伸，且环绕沿第一方向排布的一行有源柱的沟道区；位线，位线沿第二方向延伸，且与沿第二方向排布的一列有源柱的底部掺杂区电连接，在背离基底表面的方向上，位线在与其连接的相邻有源柱的底部之间具有凹槽；字线隔离结构，字线隔离结构位于相邻的字线之间，字线隔离结构包括：主体和由主体底部延伸出的凸出部，凸出部嵌入于凹槽；其中，第一方向与所述第二方向相互垂直，且均平行于所述底表面。

在一些实施例中，在沿所述第二方向上，所述凸出部的宽度尺寸大于所述主体的宽度尺寸。

在一些实施例中，在沿所述第二方向上，所述凸出部的最大宽度尺寸与所述主体的宽度尺寸之比为1.5～2。

在一些实施例中，在沿所述第二方向上，所述凸出部的宽度尺寸为5～20nm。

在一些实施例中，在垂直于基底表面方向上，所述主体的高度尺寸与所述凸出部的高度尺寸之比为5～10。

在一些实施例中，在沿背离所述基底表面的方向上，所述主体在所述第二方向上的宽度尺寸逐渐减小。

在一些实施例中，还包括：缓冲层，所述缓冲层位于所述凸出部与所述位线之间，所述缓冲层还包覆所述凸出部并填充所述凸出部与所述凹槽之间的空隙。

在一些实施例中，所述凸出部填满所述凹槽。

在一些实施例中，还包括：盖层，所述盖层位于所述字线隔离结构远离所述基底的一侧，且所述盖层还覆盖所述字线的顶部，且填充相邻所述顶部掺杂区之间的间隙。

在一些实施例中，还包括：栅氧层，所述栅氧层位于所述沟道区与所述字线之间。

在一些实施例中，所述位线的材料包括：金属硅化物或者金属中的至少一种。