[发明专利]用于碳化硅半导体功率器件复合终端及制备方法

权利要求书

1.用于碳化硅半导体功率器件复合终端，其特征在于，包括形成在外延层边缘的MOSFET阱区，所述MOSFET阱区的内侧外延层上形成若干个终端单元，每个终端单元均包括一个形成在中部的主掺杂区,主掺杂区的两侧均形成一个次掺杂区，每一个次掺杂区在远离主掺杂区的一侧均形成一个边掺杂区，所述主掺杂区深度大于次掺杂区的深度，所述次掺杂区的深度大于边掺杂区的深度；所述主掺杂区掺杂浓度大于次掺杂区的掺杂浓度，所述次掺杂区的掺杂浓度大于所述边掺杂区的掺杂浓度。

2.权利要求1所述的用于碳化硅半导体功率器件复合终端制备方法，其特征在于，包括步骤：

T1.形成外延层，在外延层上形成MOSFET阱区；

T2.在外延层上通过离子注入形成若干对边掺杂区；

T3.改变掩膜窗口并改变离子注入浓度形成次掺杂区；

T4.改变掩膜窗口并改变离子注入浓度形成主掺杂区。

3.根据权利要求2所述的用于碳化硅半导体功率器件复合终端制备方法，其特征在于，所述步骤T2-T4中配置主掺杂区，次掺杂区与边掺杂区的宽度、深度与掺杂浓度，具体地，建立一个标准终端单元中主掺杂区，次掺杂区与边掺杂区的标准宽度、深度、掺杂浓度，主掺杂区的标准宽度，深度，掺杂浓度分别为HW1，HH1，Hn1，次掺杂区的的标准宽度，深度，掺杂浓度分别为MW1，MH1，Mn1，边掺杂区的的标准宽度，深度，掺杂浓度分别为LW1，LH1，Ln1，测量标准终端单元中，每一个终端单元的结面电场分布，并提取每一个终端单元的结面电场分布的水平弯曲线，将每一个终端单元的“结面电场分布的水平弯曲线”抽象为关于位置坐标量的函数并定义为f(B)，然后改变HW1，HH1，Hn1，MW1，MH1，Mn1，LW1，LH1，Ln1中至少一个参数继续计算对应f(B)，通过f(B)的变化给HH1，Hn1，MW1，MH1，Mn1，LW1，LH1，Ln1的改变之后的参量HWx，HHx，Hnx，MWx，MHx，Mnx，LWx，LHx，Lnx分别分配一个权重值，参量HWx，HHx，Hnx，MWx，MHx，Mnx，LWx，LHx，Lnx分配的权重值分别为HWp，HHp，Hnp，MWp，MHp，Mnp，LWp，LHp，Lnp；在分配权重值时，对于f(B)的倾斜率降低贡献越大量分配的权重越大，在计算之中，选定让HWx×HWp+HHx×HHp+Hnx×Hnp+MWx×MWp+MHx×MHp+Mnx×Mnp+LWx×LWp+LHx×LHp+Lnx×Lnp最大的一组或一个HWi，HHi，Hni，MWi，MHi，Mni，LWi，LHi，Lni作为新的标准量；以最后确定标准量配置终端单元，其中的参量HWx，HHx，Hnx，MWx，MHx，Mnx，LWx，LHx，Lnx均表示未知的通量，其中的HWi，HHi，Hni，MWi，MHi，Mni，LWi，LHi，Lni均表示未知的通量中的一个确定量。

4.根据权利要求2所述的用于碳化硅半导体功率器件复合终端制备方法，其特征在于，所述的“测量标准终端单元中每一个终端单元的结面电场分布”中使用解松泊方程获取每一个终端单元的结面电场分布。

5.根据权利要求2所述的用于碳化硅半导体功率器件复合终端制备方法，其特征在于，所述的T3中改变掩膜窗口具体为缩小掩膜窗口，所述的T4之中改变掩膜窗口具体为缩小掩膜窗口，在T2通过离子注入形成若干对边掺杂区过程设置最大的掩膜窗口。