[发明专利]用于碳化硅半导体功率器件复合终端及制备方法

说明书

本发明涉及半导体技术领域，具体为用于碳化硅半导体功率器件复合终端及制备方法,用于碳化硅半导体功率器件复合终端，其特征在于，包括形成在外延层边缘的MOSFET阱区，所述MOSFET阱区的内侧外延层上形成若干个终端单元，每个终端单元均包括一个形成在中部的主掺杂区,主掺杂区的两侧均形成一个次掺杂区，每一个次掺杂区在远离主掺杂区的一侧均形成一个边掺杂区，所述主掺杂区深度大于次掺杂区的深度，所述次掺杂区的深度大于边掺杂区的深度；所述主掺杂区掺杂浓度大于次掺杂区的掺杂浓度，所述次掺杂区的掺杂浓度大于所述边掺杂区的掺杂浓度。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体为用于碳化硅半导体功率器件复合终端及制备方法。

背景技术

现有的半导体器件终端结构在制备过程中均通过离子注入形成不同的结终端扩展，或形成场限环以增加主结的性能，但在形成结终端扩展或场限环过程中由于离子注入过程中会形成横向扩散，所以，原本的希望形成的水平向结终端扩展在电场中往往不是水平的，这也使得结终端复合结构不能有较理想的效果，尤其会形成曲面的电场分布，这样的电场分布情况让结面更容易击穿。

发明内容

本发明的目的在于提供用于碳化硅半导体功率器件复合终端及制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：用于碳化硅半导体功率器件复合终端，包括形成在外延层边缘的MOSFET阱区，所述MOSFET阱区的内侧外延层上形成若干个终端单元，每个终端单元均包括一个形成在中部的主掺杂区,主掺杂区的两侧均形成一个次掺杂区，每一个次掺杂区在远离主掺杂区的一侧均形成一个边掺杂区，所述主掺杂区深度大于次掺杂区的深度，所述次掺杂区的深度大于边掺杂区的深度；所述主掺杂区掺杂浓度大于次掺杂区的掺杂浓度，所述次掺杂区的掺杂浓度大于所述边掺杂区的掺杂浓度。

用于碳化硅半导体功率器件复合终端制备方法，包括步骤：

T1.形成外延层，在外延层上形成MOSFET阱区；

T2.在外延层上通过离子注入形成若干对边掺杂区；

T3.改变掩膜窗口并改变离子注入浓度形成次掺杂区；

T4.改变掩膜窗口并改变离子注入浓度形成主掺杂区。