[发明专利]一种上电极组件、工艺腔室及半导体处理设备

权利要求书

1.一种上电极组件，应用于半导体处理设备的工艺腔室，其特征在于，包括导电连接筒，以及与所述导电连接筒的底端连接的匀气盘；

所述导电连接筒内设有中心进气通道和多个边缘进气通道；

所述匀气盘包括中心通气孔、环绕所述中心通气孔设置的环形进气通道、环绕所述环形进气通道设置的环形出气通道，以及多个将所述环形进气通道和所述环形出气通道连通的连接通道；

所述中心进气通道与所述中心通气孔连通，所述中心通气孔用于将流入所述中心进气通道内的气体导向晶圆的中心区域；

所述边缘进气通道与所述环形进气通道连通，所述环形出气通道用于将流入所述边缘进气通道内的气体导向所述晶圆的边缘区域。

2.根据权利要求1所述的上电极组件，其特征在于，所述环形出气通道靠近底部的区域设有环形缩口。

3.根据权利要求2所述的上电极组件，其特征在于，所述匀气盘包括：

环形底板；

圆形底板，设置于所述环形底板的内圈，并且所述圆形底板的周向端面与所述环形底板的内侧面设有第一间隙；所述圆形底板的顶面设置有第一环形凹槽，以及多个连接凹槽，所述连接凹槽的一端与所述第一环形凹槽连通，另一端延伸至所述圆形底板的边缘与所述第一间隙连通；所述圆形底板的周向端面靠近底部的区域设置有第一环形凸起，所述环形底板的内侧面设有第二环形凸起，所述第一环形凸起与所述第二环形凸起相对，以在所述环形出气通道中形成所述环形缩口；

顶板，设置于所述圆形底板和所述环形底板的顶面，将所述第一环形凹槽封盖形成所述环形进气通道，将所述连接凹槽封盖形成所述连接通道，以及将所述第一间隙的顶面封盖形成所述环形出气通道。

4.根据权利要求3所述的上电极组件，其特征在于，所述环形底板的内侧面由上至下包括：第一竖直面、由所述第一竖直面向所述圆形底板的周向端面弯折的第一斜面，以及与所述第一斜面连接的第二竖直面，所述第二环形凸起由所述第一斜面和第二竖直面形成；

所述圆形底板的周向端面由上至下包括：第三竖直面、由所述第三竖直面向所述环形底板弯折的第二斜面，以及由所述第二斜面向远离所述环形底板的方向弯折的第三斜面，所述第一环形凸起由所述第二斜面和所述第三斜面形成。

5.根据权利要求3所述的上电极组件，其特征在于，所述圆形底板的顶面还设置有环绕所述第一环形凹槽外侧的第二环形凹槽；

所述多个连接凹槽包括多个第一子连接凹槽和多个第二子连接凹槽；

所述第一子连接凹槽的一端与所述第一环形凹槽连通，另一端与所述第二环形凹槽连通；

所述第二子连接凹槽的一端与所述第二环形凹槽连通，另一端与所述第一间隙连通；

所述顶板将所述第二环形凹槽封盖形成缓冲通道。

6.根据权利要求3所述的上电极组件，其特征在于，所述顶板包括：

下顶板，设置于所述圆形底板和所述环形底板的顶面；所述下顶板的顶面设置有冷却液凹槽；

上顶板，设置于所述下顶板的顶面，将所述冷却液凹槽封盖，形成冷却液通道。

7.根据权利要求1所述的上电极组件，其特征在于，还包括：

介质窗，设置于所述匀气盘的底面；

上电极隔离环，设置于所述匀气盘的底面，并套设在所述介质窗的外侧；

上电极接地环，设置于所述匀气盘的底面，并套设在所述上电极隔离环的外侧，所述上电极接地环与所述上电极隔离环之间设有第二间隙，所述第二间隙与所述环形出气通道连通。

8.根据权利要求7所述的上电极组件，其特征在于，所述介质窗的侧面设有凸伸部，所述上电极隔离环的内侧面靠近底面的一侧设置有法兰，所述凸伸部与所述法兰配合，并且所述介质窗的底面与所述上电极隔离环的底面平齐。

9.根据权利要求8所述的上电极组件，其特征在于，所述凸伸部与所述法兰之间通过定位销定位。