[发明专利]一种上电极组件、工艺腔室及半导体处理设备

说明书

本申请公开了一种上电极组件、工艺腔室及半导体处理设备，上电极组件包括导电连接筒，以及与导电连接筒的底端连接的匀气盘；导电连接筒内设有中心进气通道和多个边缘进气通道；匀气盘包括中心通气孔、环绕中心通气孔设置的环形进气通道、环绕环形进气通道设置的环形出气通道，以及多个将环形进气通道和环形出气通道连通的连接通道；中心进气通道与中心通气孔连通；边缘进气通道与环形进气通道连通。本申请中，工艺气体顺着边缘进气通道从环形进气通道进入匀气盘，然后依次通过连接通道和环形出气通道，最终到达晶圆的边缘区域。由于工艺气体映射在晶圆边缘表面的气体分布效果为环形带状分布，分布均匀，从而可以提高晶圆边缘刻蚀的均匀性。

技术领域

本申请涉及半导体制造设备技术领域，具体涉及一种上电极组件、工艺腔室及半导体处理设备。

背景技术

现有的一种上电极组件的结构示意图如图1所示，包括支架10A，以及依次连接在支架10A下方的接地金属板20A和上介质板30A，支架10A和接地金属板20A上设有中心进气通道11A和多个边缘进气通道12A，工作时，晶圆101A位于上介质板30A的下方，工艺气体通过边缘进气通道12A到达晶圆101A的边缘，在电场的作用下形成等离子气体，对晶圆101A的边缘进行刻蚀。

该上电极组件中，请参阅图2，图2是现有的接地金属板的仰视结构示意图，边缘进气通道12A的出口(小孔)121A在接地金属板20A的下表面均匀分布，工艺气体最终映射在晶圆101A边缘表面的分布效果为环形点状分布，分布是不均匀的，最终影响晶圆101A边缘刻蚀的均匀性。

发明内容

针对上述技术问题，本申请提供一种上电极组件、工艺腔室及半导体处理设备，可以改善工艺气体在通过现有的上电极组件到达晶圆边缘区域时分布不均匀导致蚀刻不均匀的问题。

为解决上述技术问题，第一方面，本申请实施例提供一种上电极组件，应用于半导体处理设备的工艺腔室，包括导电连接筒，以及与所述导电连接筒的底端连接的匀气盘；

所述导电连接筒内设有中心进气通道和多个边缘进气通道；

所述匀气盘包括中心通气孔、环绕所述中心通气孔设置的环形进气通道、环绕所述环形进气通道设置的环形出气通道，以及多个将所述环形进气通道和所述环形出气通道连通的连接通道；

所述中心进气通道与所述中心通气孔连通，所述中心通气孔用于将流入所述中心进气通道内的气体导向晶圆的中心区域；

所述边缘进气通道与所述环形进气通道连通，所述环形出气通道用于将流入所述边缘进气通道内的气体导向所述晶圆的边缘区域。

可选的，所述环形出气通道靠近底部的区域设有环形缩口。

可选的，所述匀气盘包括：

环形底板；

圆形底板，设置于所述环形底板的内圈，并且所述圆形底板的周向端面与所述环形底板的内侧面设有第一间隙；所述圆形底板的顶面设置有第一环形凹槽，以及多个连接凹槽，所述连接凹槽的一端与所述第一环形凹槽连通，另一端延伸至所述圆形底板的边缘与所述第一间隙连通；所述圆形底板的周向端面靠近底部的区域设置有第一环形凸起，所述环形底板的内侧面设有第二环形凸起，所述第一环形凸起与所述第二环形凸起相对，以在所述环形出气通道中形成所述环形缩口。

顶板，设置于所述圆形底板和所述环形底板的顶面，将所述第一环形凹槽封盖形成所述环形进气通道，将所述连接凹槽封盖形成所述连接通道，以及将所述第一间隙的顶面封盖形成所述环形出气通道。

可选的，所述环形底板的内侧面由上至下包括：第一竖直面、由所述第一竖直面向所述圆形底板的周向端面弯折的第一斜面，以及与所述第一斜面连接的第二竖直面，所述第二环形凸起由所述第一斜面和第二竖直面形成；