[发明专利]栅极结构和包括该栅极结构的半导体器件

权利要求书

1.一种栅极结构，包括：

第一栅电极，包括第一金属；

栅极阻挡图案，在所述第一栅电极上，并且包括金属氮化物；以及

第二栅电极，在所述栅极阻挡图案上，

其中，所述栅极结构被掩埋在衬底的上部中，并且

其中，所述栅极阻挡图案具有平坦的上表面和不平坦的下表面。

2.根据权利要求1所述的栅极结构，其中，所述栅极阻挡图案包括与所述第一金属不同的第二金属。

3.根据权利要求1所述的栅极结构，其中，所述第一栅电极包括钨、钼、钽或钛，并且

其中，所述栅极阻挡图案包括氮化钨、氮化钼、氮化钽或氮化钛。

4.根据权利要求1所述的栅极结构，其中，所述第二栅电极包括掺杂的多晶硅。

5.根据权利要求1所述的栅极结构，还包括：

栅极掩模，在所述第二栅电极上；以及

栅极绝缘图案，在所述第一栅电极的下表面和侧壁上以及在所述栅极阻挡图案、所述第二栅电极和所述栅极掩模中的每一个的侧壁上。

6.一种栅极结构，包括：

第一栅电极；

栅极阻挡图案结构，在所述第一栅电极上，所述栅极阻挡图案结构包括第一栅极阻挡图案和第二栅极阻挡图案，所述第一栅极阻挡图案包括第一材料，所述第二栅极阻挡图案包括与所述第一材料不同的第二材料；以及

第二栅电极，在所述栅极阻挡图案结构上，

其中，所述栅极结构被掩埋在衬底的上部中，并且

其中，所述栅极阻挡图案结构具有平坦的上表面和不平坦的下表面。

7.根据权利要求6所述的栅极结构，其中，所述第二栅极阻挡图案的上表面和所述第一栅极阻挡图案的下表面是不平坦的。

8.根据权利要求7所述的栅极结构，其中，所述第二栅极阻挡图案的下表面是不平坦的。

9.根据权利要求6所述的栅极结构，其中，所述第一栅极阻挡图案的厚度是不均匀的。

10.根据权利要求6所述的栅极结构，其中：

所述第一栅电极包括金属，

所述第二栅极阻挡图案包括金属氮氧化物，并且

所述第一栅极阻挡图案包括金属氮化物。

11.根据权利要求10所述的栅极结构，其中，所述第一栅极阻挡图案和所述第二栅极阻挡图案中的每一个包括相同的金属，所述相同的金属与包括在所述第一栅电极中的金属不同。

12.根据权利要求6所述的栅极结构，其中，所述第二栅电极包括掺杂的多晶硅。

13.根据权利要求6所述的栅极结构，还包括：

栅极掩模，在所述第二栅电极上；以及

栅极绝缘图案，在所述第一栅电极的下表面和侧壁上以及在所述栅极阻挡图案结构、所述第二栅电极和所述栅极掩模中的每一个的侧壁上。