[发明专利]栅极结构和包括该栅极结构的半导体器件

说明书

本公开涉及一种栅极结构，包括：第一栅电极，包括金属；栅极阻挡图案，在第一栅电极上，并且包括金属氮化物；以及第二栅电极，在栅极阻挡图案上。栅极结构被掩埋在衬底的上部中。栅极阻挡图案具有平坦的上表面和不平坦的下表面。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年8月24日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2021-0111395的优先权，其全部公开内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开的示例实施例涉及一种栅极结构和一种包括该栅极结构的半导体器件。

背景技术

在DRAM器件中，可以通过在衬底上形成凹槽并在该凹槽中顺序地形成第一栅电极、第二栅电极和栅极掩模来形成掩埋栅极结构。第一栅电极和第二栅电极的材料可以扩散到彼此中。

发明内容

一个方面是提供一种具有改进特性的栅极结构。

另一方面是提供一种包括具有改进特性的栅极结构的半导体器件。

根据一个或多个示例实施例的各个方面，提供了一种栅极结构。该栅极结构可以包括：第一栅电极，包括金属；栅极阻挡图案，在第一栅电极上，并且包括金属氮化物；以及第二栅电极，在栅极阻挡图案上。栅极结构可以被掩埋在衬底的上部中。栅极阻挡图案可以具有平坦的上表面和不平坦的下表面。

根据一个或多个示例实施例的各个方面，提供了一种栅极结构。该栅极结构可以包括：第一栅电极；栅极阻挡图案结构，在第一栅电极上，该栅极阻挡图案结构包括第一栅极阻挡图案和第二栅极阻挡图案，第一栅极阻挡图案包括第一材料，第二栅极阻挡图案包括与第一材料不同的第二材料；以及第二栅电极，在栅极阻挡图案结构上。栅极结构可以被掩埋在衬底的上部中。栅极阻挡图案结构可以具有平坦的上表面和不平坦的下表面。

根据一个或多个示例实施例的各个方面，提供了一种半导体器件。该半导体器件可以包括：有源图案，在衬底上；隔离图案，覆盖有源图案的侧壁；栅极结构，被掩埋在有源图案和隔离图案的上部中，并沿平行于衬底的上表面的第一方向延伸；位线结构，接触有源图案的中心上表面，并沿平行于衬底的上表面且垂直于第一方向的第二方向延伸；接触插塞结构，接触有源图案的相对端中的每一端的上表面；以及电容器，在接触插塞结构上。栅极结构可以包括：第一栅电极，沿第一方向延伸，并且包括金属；栅极阻挡图案结构，在第一栅电极上，并且包括金属氮化物；以及第二栅电极，在栅极阻挡图案结构上。栅极阻挡图案结构可以具有平坦的上表面和不平坦的下表面。

附图说明

参照附图，根据以下详细描述，上述和其他方面将变得容易理解，在附图中：

图1至图7是示出了根据示例实施例的形成栅极结构的方法的平面图和截面图；

图8和图9是示出了根据示例实施例的形成栅极结构的方法的截面图；

图10至图24是示出了根据示例实施例的制造半导体器件的方法的平面图和截面图；以及

图25是示出了根据示例实施例的半导体器件的截面图。

具体实施方式

将理解，虽然在本文中可以使用术语“第一”、“第二”和/或“第三”来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分加以区分。因此，在不脱离本说明书的教导的情况下，以下讨论的“第一”元件、组件、区域、层或部分可以被称为“第二”或“第三”元件、组件、区域、层或部分。

在下文中，在说明书中(并且不一定在权利要求中)，与衬底的上表面基本平行并且彼此基本垂直的两个方向可以分别被称为第一方向D1和第二方向D2，并且基本平行于衬底的上表面并且相对于第一方向D1和第二方向D2具有锐角的方向可以被称为第三方向D3。