[发明专利]一种新型OLED器件TFE结构的制备方法

权利要求书

1.一种新型OLED器件TFE结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在玻璃基板上涂布一层柔性衬底，然后在柔性衬底上制备OLED器件；

步骤二、在步骤一的基础上，在玻璃基板上的绑定区和非薄膜覆盖区域打印第一保护层，所述第一保护层经过曝光和固化形成稳定的固态薄膜；

步骤三、在步骤二的基础上整面性成膜形成第一无机隔离层，然后再在封装区域打印有机缓冲层，其次再整面性沉积第二无机隔离层，其中第一无机隔离层和第二无机隔离层均覆盖在第一保护层上；

步骤四、在步骤三的基础上打印第二保护层，所述第二保护层覆盖薄膜封装区域，第二保护层经过曝光和固化形成保护膜；

步骤五、对整个器件表面的未被第二保护层保护的无机隔离层进行干刻，然后再采用剥离液将固化后的第二保护层以及第一保护层全部剥离掉，彻底地露出绑定区域和非薄膜封装区域，最后剥离柔性衬底，将柔性器件与刚性基板分离，得到所需要的带有TFE结构的柔性OLED器件。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一保护层和第二保护层通过IJP机台打印得到。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述第一保护层和第二保护层保护的材料为负性光阻。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一保护层和第二保护层的厚度范围为1μm-3μm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述有机缓冲层在基板上的投影面积不小于OLED器件的面积，但不大于第一无机隔离层的投影面积。

6.根据权利要求1或5所述的方法，其特征在于：所述有机缓冲层为聚丙烯酸酯层、聚对二甲苯层、聚脲层、聚对苯二甲酸乙二醇酯层、聚萘二甲酸乙二醇酯层或聚苯乙烯层，其厚度范围为1μm-3μm。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述干刻气体为SF6或CF4。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：通过蚀刻机台将覆盖在绑定区和非薄膜覆盖区域的第一保护层和覆盖在封装区域的第二保护层保护采用剥离液彻底剥离。