[发明专利]一种新型OLED器件TFE结构的制备方法

说明书

本发明提供一种新型OLED器件TFE结构的制备方法，涉及OLED器件技术领域。所述方法采用3～5层无机/有机的叠层结构，通过在非显示区域涂布有机隔绝保护膜，无机薄膜则可以整面性沉积在玻璃基板上，通过后期的干蚀和蚀刻剥离工艺将覆盖在外围线路和绑定区域的有机保护隔绝层蚀刻剥离，得到的OLED器件是既有薄膜封装区域也有露出的绑定区域，完全省去了TFE遮罩的制备步骤，并进一步节省了TFE遮罩定期维护及清洗的成本。

技术领域

本发明涉及OLED器件技术领域，特别涉及一种新型OLED器件TFE结构的制备方法。

背景技术

在有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode)OLED显示器具备自发光特性、低功耗、宽视角、响应速度快、超轻超薄以及抗震性好等特点，采用薄膜封装OLED器件可实现柔性、可折叠、可弯折等特点，该技术被广泛运用于柔性显示领域。

薄膜封装技术(ThinFilm Encapsulation)简称TFE，TFE技术是在TFT基板上，将有机的EL蒸镀后，在上方通过沉积Barrier layer(隔绝层)和Bufferlayer(平坦层)，依次顺序制备3～5层交错覆盖来隔绝水氧，用来保护有机EL的技术。其中，TFE(ThinFilmEncapsulation)封装中Barrierlayer(隔绝层)多采用PECVD(化学气相沉积)机台沉积无机薄膜，比如氮化硅，起到阻隔水氧的作用，Buffer layer(平坦层)多采用IJP(喷墨打印)机台涂布有机薄膜，比如高分子聚合物、树脂等，其作用就是覆盖无机层的缺陷，实现平坦化，可以释放无机层之间的应力，实现柔性封装。

IJP打印由于其高精度，高准确性定位打印有机薄膜，所以IJP工艺无需用到遮罩，TFE遮罩多运用在PECVD制作的无机薄膜中，TFE的遮罩分为镂空区域和非镂空区域；非镂空区域是用来遮挡不需要沉积无机薄膜的区域，为显示面板预留绑定COF和PCB板的区域；镂空区域是为了使薄膜沉积在镂空区域对应的显示区，实现将显示器件隔离水氧，提高显示器件的寿命和发光效率。

TFE薄膜封装结构制备过程中，需要制备2～3层的无机薄膜层，并且每一层无机薄膜层对于基板的垂直投影面积要比器件结构区域对于基板的垂直面积要大，在外部环境中，有效阻挡了水氧从侧边横向穿透进入器件，封装效果好，但是每制备一层无机薄膜层需要对应一张TFE遮罩(MASK)，TFE遮罩由Invar合金制备，价格昂贵，需要向外定制，并需要定期整列维护。

发明内容

本发明要解决的技术问题，在于提供一种新型OLED器件TFE结构的制备方法，通过在非显示区域涂布有机隔绝保护膜，无机薄膜则可以整面性沉积在玻璃基板上，通过后期的干蚀和蚀刻剥离工艺将覆盖在外围线路和绑定区域的有机保护隔绝层蚀刻剥离，节省了TFE遮罩制备、定期维护及清洗的成本。

本发明是这样实现的：

一种新型OLED器件TFE结构的制备方法，包括如下步骤：

步骤一、在玻璃基板上涂布一层柔性衬底，然后在柔性衬底上制备OLED器件；

步骤二、在步骤一的基础上，在玻璃基板上的绑定区和非薄膜覆盖区域打印第一保护层，所述第一保护层经过曝光和固化形成稳定的固态薄膜；

步骤三、在步骤二的基础上整面性成膜形成第一无机隔离层，然后再在封装区域打印有机缓冲层，其次再整面性沉积第二无机隔离层，其中第一无机隔离层和第二无机隔离层均覆盖在第一保护层上；

步骤四、在步骤三的基础上打印第二保护层，所述第二保护层覆盖薄膜封装区域，第二保护层经过曝光和固化形成保护膜；

步骤五、对整个器件表面的未被第二保护层保护的无机隔离层进行干刻，然后再采用剥离液将固化后的第二保护层以及第一保护层全部剥离掉，彻底地露出绑定区域和非薄膜封装区域，最后剥离柔性衬底，将柔性器件与刚性基板分离，得到所需要的带有TFE结构的柔性OLED器件。