[发明专利]使遮罩曝光于极紫外光的方法以及极紫外光微影系统

说明书

提供一种使遮罩曝光于极紫外光的方法以及极紫外光微影系统，微影系统能够阻止诸如锡碎屑的污染物进入扫描器中。根据本揭露内容的各种实施例的微影系统包括一处理器、一极紫外光源、一扫描器及一中空连接部件。光源包括用于产生一液滴的一液滴产生器、用于将极紫外光反射至一中间焦点中的一集光器及用于产生预脉冲光及主脉冲光的一光产生器。液滴回应于液滴由预脉冲光及主脉冲光照明而产生极紫外光。扫描器包括一晶圆载台。中空连接部件包括与一排气泵流体连通的一入口。中空连接部件提供中间焦点安置所在的一中空空间。中空连接部件安置于极紫外光源与扫描器之间。

技术领域

本揭露是关于一种在一半导体制造工艺中使一遮罩曝光于极紫外光的方法以及极紫外光微影系统。

背景技术

为了制造半导体元件，作为半导体元件的原材料的半导体基板(诸如硅晶圆)必须经历一系列复杂且精确的程序步骤。为了完成序列，常常必须将晶圆实体地自一个制造设备输送至另一个制造设备。在这些制造设备内，对半导体基板实行各种程序，诸如扩散、离子布植、化学气相沉积、光微影、蚀刻、物理气相沉积及化学机械研磨。

亦称作光学微影或微影的光微影是用于使用光将光罩(例如，遮罩)的复杂图案转印至基板(例如，晶圆)的经光阻涂布的表面上的工艺。后续处理包括在基板上创建光罩的永久图案。

在现代光微影工艺中，产生极紫外(extreme ultraviolet，EUV)光的光源是用于将高度复杂的图案转印至基板上。

发明内容

于一些实施方式中，在一半导体制造工艺中使一遮罩曝光于极紫外光的方法，包含以下步骤：在一极紫外光微影系统中装载遮罩，极紫外光微影系统包括：一中空连接部件，中空连接部件在一极紫外光源与一扫描器之间，中空连接部件包括与一排气泵流体连通的一入口；操作排气泵；及使遮罩曝露于来自极紫外光源的极紫外光。

于一些实施方式中，在一半导体制造工艺中使一遮罩曝光于极紫外光的方法，包含以下步骤：由一处理器判定一排气泵的一操作参数，步骤包括以下步骤：量测一微影系统的一扫描器中的真空压力；及基于扫描器中的真空压力来判定操作排气泵所用的一速度，其中排气泵与一中空连接部件流体连通，中空连接部件在扫描器与微影系统的一光源之间。

于一些实施方式中，极紫外光微影系统包含处理器、极紫外光源、扫描器以及中空连接部件。极紫外光源包含液滴产生器、集光器以及光产生器。液滴产生器用以产生一液滴。集光器用以将极紫外光反射至一中间焦点中。光产生器用以产生预脉冲光及主脉冲光。液滴回应于液滴由预脉冲光及主脉冲光照明而产生极紫外光。扫描器包含遮罩载台以及基板台。中空连接部件包括与一排气泵流体连通的一入口。中空连接部件包括中间焦点安置所在的一中空空间，中空连接部件安置于极紫外光源与扫描器之间。

附图说明

本揭露的态样将在结合附图阅读时自以下详细描述最佳地了解。请注意，根据产业中的标准方法，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，各种特征的尺寸可任意地增大或减小。

图1为根据本揭露内容的一或多个实施例的经组态具有污染减弱模组的极紫外光微影系统的示意性视图，污染减弱模组用以减少进入极紫外光微影系统的扫描器中的污染物的量；

根据本揭露内容的一或多个实施例，图2为连接至极紫外光微影系统的扫描器的极紫外光源的示意横截面图；

根据本揭露内容的一或多个实施例，图3为中空连接部件(经组态具有排气泵的入口)的示意性视图，中空连接部件提供自极紫外光源产生的极紫外光至扫描器的传递；

根据本揭露内容的一或多个实施例，图4为经组态具有包括多个吸取开口的入口的中空连接部件的横截面图；

根据本揭露内容的一或多个实施例，图5为经组态具有排气泵的入口及磁体部件的中空连接部件的示意性视图；

根据本揭露内容的一或多个实施例，图6为图5所图示的中空连接部件的横截面图；