[发明专利]用于半导体裸片组合件的导电缓冲层以及相关联的系统和方法

权利要求书

1.一种半导体裸片，其包括：

半导体衬底；

处于所述半导体衬底上方的介电层；

处于所述介电层中的接合垫，所述接合垫包含相对于所述介电层的与所述半导体衬底相对的表面凹进的顶表面；和

处于所述接合垫上的导电缓冲层，其中所述导电缓冲层包含导电粒子聚合体，并且是柔性的以响应于施加到所述导电缓冲层的压力而变形。

2.根据权利要求1所述的半导体裸片，其另外包括：

处于所述接合垫的所述顶表面与所述导电缓冲层之间的牺牲层，其中所述导电缓冲层粘附到所述牺牲层。

3.根据权利要求2所述的半导体裸片，其中所述牺牲层被配置成在大于100℃的温度下分解。

4.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述导电缓冲层是多孔的以使得所述导电粒子聚合体响应于施加到所述导电缓冲层的所述压力而被压缩在一起。

5.根据权利要求4所述的半导体裸片，其中所述导电粒子包含铜。

6.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述导电缓冲层基于以下各项中的至少一个而形成：

将导电粒子沉积于所述接合垫上方，同时阻挡所述导电粒子沉积在所述介电层的未被所述接合垫占用的所述表面上；

选择性地烧结已安置于所述接合垫上方的导电粒子；或

在所述接合垫上方选择性地喷涂包含导电粒子的溶液。

7.一种方法，其包括：

提供包含第一介电层的第一半导体裸片，其中所述第一介电层包含具有相对于所述第一介电层的第一表面凹进的第一顶表面的第一接合垫，且其中导电缓冲层安置在所述接合垫上，所述导电缓冲层包含导电粒子聚合体并且是柔性的以响应于施加到所述导电缓冲层的压力而变形；

提供包含具有第二表面的第二介电层的第二半导体裸片，其中所述第二介电层包含具有第二顶表面的第二接合垫；

附接所述第一半导体裸片和第二半导体裸片以使得所述第一表面与所述第二表面接触以形成接合界面，且所述第一接合垫对准到并面向所述第二接合垫；和

加热附接到彼此的所述第一半导体裸片和第二半导体裸片。

8.根据权利要求7所述的方法，其中牺牲层安置于所述第一接合垫的所述第一顶表面与所述导电缓冲层之间，且其中所述导电缓冲层粘附到所述牺牲层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中加热附接到彼此的所述第一半导体裸片和第二半导体裸片包括：

在大于100℃的温度下分解所述牺牲层。

10.根据权利要求7所述的方法，其中所述第二接合垫的所述第二顶表面相对于所述第二介电层的所述第二表面凹进，且其中所述第一接合垫和第二接合垫的所述第一顶表面和第二顶表面两者响应于加热所述第一半导体裸片和第二半导体裸片而朝向所述接合界面膨胀。

11.根据权利要求10所述的方法，其中由于所述第一接合垫和第二接合垫朝向所述接合界面膨胀，所述第一顶表面的至少第一部分相连到所述第二顶表面的至少第二部分。

12.根据权利要求10所述的方法，其中在加热所述第一半导体裸片和第二半导体裸片之后，所述第一顶表面与所述第二顶表面分开，且其中所述第一接合垫通过所述导电缓冲层电连接到所述第二接合垫。

13.根据权利要求7所述的方法，其中所述第二接合垫的所述第二顶表面相对于所述第二介电层的所述第二表面突出，且其中所述第一接合垫和第二接合垫的所述第一顶表面和第二顶表面两者响应于加热所述第一半导体裸片和第二半导体裸片而朝向彼此膨胀。

14.根据权利要求13所述的方法，其中由于所述第一接合垫和第二接合垫朝向彼此膨胀，所述第一顶表面的至少第一部分相连到所述第二顶表面的至少第二部分。