[发明专利]操作存储器件的方法及执行该方法的存储器件

权利要求书

1.一种操作存储器件的方法，所述方法包括：

接收使得所述存储器件进入空闲模式的第一命令；

基于与所述存储器件相关联的工艺、电压和温度变化来调整参考时间间隔，所述参考时间间隔用于确定功率控制操作的开始时间点，所述功率控制操作用于降低所述存储器件的功耗；

基于所述第一命令来内部地测量维持所述空闲模式的第一时间间隔；以及

响应于所述第一时间间隔比所述参考时间间隔长来执行所述功率控制操作。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，调整所述参考时间间隔包括：

基于所述存储器件中包括的多个晶体管的特性来设置所述参考时间间隔，所述多个晶体管的特性是在制造所述存储器件时确定的。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，调整所述参考时间间隔包括：

基于所述存储器件的工作电压来设置所述参考时间间隔。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，基于所述存储器件的工作电压设置所述参考时间间隔包括：

随着所述存储器件的工作电压增加而减小所述参考时间间隔；以及

随着所述存储器件的工作电压减小而增加所述参考时间间隔。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，调整所述参考时间间隔包括：

基于所述存储器件的工作温度来设置所述参考时间间隔。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，基于所述存储器件的工作温度来设置所述参考时间间隔包括：

随着所述存储器件的工作温度升高而减小所述参考时间间隔；以及

随着所述存储器件的工作温度降低而增加所述参考时间间隔。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述功率控制操作包括：

执行将施加到所述存储器件的电源电压阻断的电源门控操作。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，执行所述电源门控操作包括：

在所述第一时间间隔变得比所述参考时间间隔长的第一时间点生成电源门控控制信号；以及

基于所述电源门控控制信号阻断向所述存储器件施加所述电源电压的电力路径。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，执行所述功率控制操作还包括：

执行自适应体偏置操作，所述自适应体偏置操作调整施加到所述存储器件中包括的至少一个晶体管的至少一个体偏置电压。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述至少一个体偏置电压被改变以增加所述至少一个晶体管的阈值电压。

11.根据权利要求9所述的方法，其中：

所述至少一个晶体管包括p型金属氧化物半导体晶体管，

所述至少一个体偏置电压包括施加到所述p型金属氧化物半导体晶体管的第一体偏置电压，并且

执行所述自适应体偏置操作包括：

增加所述第一体偏置电压的电压电平。

12.根据权利要求9所述的方法，其中：

所述至少一个晶体管包括n型金属氧化物半导体晶体管，

所述至少一个体偏置电压包括施加到所述n型金属氧化物半导体晶体管的第二体偏置电压，并且

执行所述自适应体偏置操作包括：

减小所述第二体偏置电压的电压电平。

13.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述存储器件包括振荡器，所述振荡器被配置为生成振荡信号，并且

内部地测量所述第一时间间隔的操作是使用所述振荡器执行的。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，调整所述参考时间间隔的操作是通过调整所述振荡信号的频率执行的。