[发明专利]操作存储器件的方法及执行该方法的存储器件

说明书

提供了一种操作存储器件的方法及执行该方法的存储器件。在操作存储器件的方法中，接收使得所述存储器件进入空闲模式的第一命令。基于与所述存储器件相关联的工艺、电压和温度(PVT)变化来调整参考时间间隔。所述参考时间间隔用于确定功率控制操作的开始时间点，所述功率控制操作用于降低所述存储器件的功耗。基于所述第一命令来内部地测量维持所述空闲模式的第一时间间隔。响应于所述第一时间间隔比所述参考时间间隔长来执行所述功率控制操作。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年9月1日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10-2021-0116346的优先权，其内容通过引用整体合并于此。

技术领域

示例性实施例总体上涉及半导体集成电路，更具体地涉及操作存储器件的方法和执行该方法的存储器件。

背景技术

半导体存储器件通常可以依据其在断电时是否保持所存储的数据而被划分成两类。这两类被称为在断电时丢失所存储的数据的易失性存储器件以及在断电时保持所存储的数据的非易失性存储器件。近来，可以在各种移动系统中采用易失性存储器件。因为降低移动系统的功耗较为重要，所以研究者也针对降低移动系统中包括的易失性存储器件的功耗开展了各种研究项目。

发明内容

本公开的至少一个示例性实施例提供一种操作存储器件的方法，所述方法能够在诸如掉电模式、休眠模式等空闲模式下高效地降低功耗。

本公开的至少一个示例性实施例提供一种存储器件，所述存储器件执行操作所述存储器件的方法。

根据示例性实施例，在操作存储器件的方法中，接收使得所述存储器件进入空闲模式的第一命令。基于与所述存储器件相关联的工艺、电压和温度(PVT)变化来调整参考时间间隔。所述参考时间间隔用于确定功率控制操作的开始时间点，所述功率控制操作用于降低所述存储器件的功耗。基于所述第一命令来内部地测量维持所述空闲模式的第一时间间隔。响应于所述第一时间间隔比所述参考时间间隔长来执行所述功率控制操作。

根据示例性实施例，一种存储器件包括命令译码器、定时器、参考时间间隔控制电路、功率控制电路和逻辑块。所述命令译码器接收使得所述存储器件进入空闲模式的第一命令。所述定时器基于所述第一命令来内部地测量维持所述空闲模式的第一时间间隔。所述参考时间间隔控制电路基于与所述存储器件相关联的工艺、电压和温度(PVT)变化来调整参考时间间隔。所述参考时间间隔用于确定功率控制操作的开始时间点，所述功率控制操作用于降低所述存储器件的功耗。所述功率控制电路响应于所述第一时间间隔比所述参考时间间隔长来执行所述功率控制操作。所述逻辑块的功耗通过所述功率控制操作被降低。

根据示例性实施例，在操作存储器件的方法中，接收使得所述存储器件进入空闲模式的第一命令，并且基于所述第一命令来生成功率控制使能信号。基于与所述存储器件相关联的工艺、电压和温度(PVT)变化来调整参考时间间隔。所述参考时间间隔用于确定功率控制操作的开始时间点，所述功率控制操作用于降低所述存储器件的功耗。使用定时器来内部地测量维持所述空闲模式的第一时间间隔，所述定时器基于所述功率控制使能信号而被激活。响应于所述第一时间间隔比所述参考时间间隔长，使用功率控制电路来执行所述功率控制操作，所述功率控制电路基于所述功率控制使能信号而被激活。响应于在执行了所述功率控制操作之后所述存储器件接收到使得所述存储器件退出所述空闲模式的第二命令，所述功率控制操作终止并且退出所述空闲模式。响应于在所述第一时间间隔变得比所述参考时间间隔长之前所述存储器件接收到所述第二命令，退出所述空闲模式而不执行所述功率控制操作。当调整所述参考时间间隔时，基于所述存储器件中包括的多个晶体管的特性来设置所述参考时间间隔。所述多个晶体管的特性是在制造所述存储器件时确定的。基于所述存储器件的工作电压来设置所述参考时间间隔。基于所述存储器件的工作温度来设置所述参考时间间隔。当执行所述功率控制操作时，执行将施加到所述存储器件的电源电压阻断的电源门控操作。执行调整施加到所述多个晶体管的至少一个体偏置电压的自适应体偏置操作。