[发明专利]驱动装置以及半导体模块在审
申请号: | 202210873028.0 | 申请日: | 2022-07-21 |
公开(公告)号: | CN116504781A | 公开(公告)日: | 2023-07-28 |
发明(设计)人: | 坂野竜则;下条亮平;末代知子 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
主分类号: | H01L27/07 | 分类号: | H01L27/07 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 刘英华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 驱动 装置 以及 半导体 模块 | ||
1.一种驱动装置,具备能够驱动半导体装置的驱动电路,
所述半导体装置包括:
第一电极;
半导体部件,所述半导体部件包括:第一导电型的第一半导体区域、所述第一导电型的第二半导体区域、第二导电型的第三半导体区域、以及所述第二导电型的第四半导体区域,其中,所述第一半导体区域包括第一部分区域、第二部分区域以及第三部分区域,所述第一半导体区域在第一方向上位于所述第一电极与所述第二半导体区域之间,所述第三半导体区域在所述第一方向上位于所述第一半导体区域与所述第二半导体区域之间,所述第四半导体区域在所述第一方向上位于所述第一电极与所述第一半导体区域之间;
第二电极,与所述第二半导体区域电连接;
第三电极,所述第一部分区域在所述第一方向上位于所述第四半导体区域与所述第三电极之间;
第四电极,从所述第三电极向所述第四电极的第二方向与所述第一方向交叉,所述第二部分区域在所述第一方向上位于所述第四半导体区域与所述第四电极之间,所述第三部分区域的至少一部分位于所述第三电极与所述第四电极之间,所述第二半导体区域的至少一部分以及所述第三半导体区域的至少一部分在所述第二方向上位于所述第三电极与所述第四电极之间;以及
绝缘部件,所述绝缘部件的至少一部分设置在所述半导体部件与所述第三电极之间、以及所述半导体部件与所述第四电极之间,
所述驱动电路能够将第一驱动信号供给至所述第三电极,并能够将第二驱动信号供给至所述第四电极,
在第一动作中,所述第一驱动信号从第一电位变化为比所述第一电位高的第二电位,
在所述第一动作中,所述第二驱动信号在从第三电位变化为比所述第三电位高的第四电位后,变化为所述第三电位与所述第四电位之间的第五电位。
2.一种驱动装置,具备驱动电路,
该驱动电路能够驱动半导体装置,该半导体装置包括作为集电极电极发挥功能的第一电极、作为发射极电极发挥功能的第二电极、作为栅极电极发挥功能的第三电极、以及作为控制栅极电极发挥功能的第四电极,
所述驱动电路能够将第一驱动信号供给至所述第三电极,并能够将第二驱动信号供给至所述第四电极,
在第一动作中,所述第一驱动信号从第一电位变化为比所述第一电位高的第二电位,
在所述第一动作中,所述第二驱动信号在从第三电位变化为比所述第三电位高的第四电位后,变化为所述第三电位与所述第四电位之间的第五电位。
3.根据权利要求1所述的驱动装置,其中,
所述第一驱动信号从所述第一电位变化为所述第二电位的第一时刻,在所述第二驱动信号从所述第三电位变化为所述第四电位的第二时刻之后。
4.根据权利要求3所述的驱动装置,其中,
所述半导体装置包括多个所述第三电极及多个所述第四电极,
所述多个第四电极的数量大于所述多个第三电极的数量。
5.根据权利要求3所述的驱动装置,其中,
所述半导体装置还包括第二电阻,该第二电阻设置在所述驱动电路与所述第四电极之间的电流路径上,
在所述驱动电路与所述第三电极之间的电流路径上不设置第一电阻,或者在所述驱动电路与所述第三电极之间的所述电流路径上设置的所述第一电阻低于所述第二电阻。
6.根据权利要求3所述的驱动装置,其中,
所述驱动装置还包括第二电阻,该第二电阻设置在所述驱动电路与所述第四电极之间的电流路径上,
在所述驱动电路与所述第三电极之间的电流路径上不设置第一电阻,或者在所述驱动电路与所述第三电极之间的所述电流路径上设置的所述第一电阻低于所述第二电阻。
7.根据权利要求1所述的驱动装置,其中,
所述第一驱动信号从所述第一电位变化为所述第二电位的第一时刻,在所述第二驱动信号从所述第三电位变化为所述第四电位的第二时刻之前。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社,未经株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210873028.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:叠加型隔振器
- 下一篇:适用于电解海水制氢的阳极水氧化催化剂及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的