[发明专利]驱动装置以及半导体模块

说明书

本发明提供一种能够抑制损耗的驱动装置以及半导体模块。根据实施方式，驱动装置包括能够驱动半导体装置的驱动电路。所述半导体装置包括第一电极、第二电极、第三电极、第四电极、半导体部件以及绝缘部件。所述驱动电路能够将第一驱动信号供给至所述第三电极，并能够将第二驱动信号供给至所述第四电极。在第一动作中，所述第一驱动信号从第一电位变化为比所述第一电位高的第二电位。在所述第一动作中，所述第二驱动信号在从第三电位变化为比所述第三电位高的第四电位后，变化为所述第三电位与所述第四电位之间的第五电位。

本申请以日本专利申请2022-007651(申请日为2022年1月21日)为基础，从该申请享受优先的利益。本申请通过参照该申请，包括该申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及驱动装置以及半导体模块。

背景技术

例如，IGBT(insulated gate bipolar transistor：绝缘栅双极型晶体管)等半导体装置被用于电力转换电路等。期望能够抑制半导体装置中的损耗的驱动装置以及半导体模块。

发明内容

本发明的实施方式提供能够抑制损耗的驱动装置以及半导体模块。

根据本发明的实施方式，驱动装置包括能够驱动半导体装置的驱动电路。所述半导体装置包括第一电极、第二电极、第三电极、第四电极、半导体部件以及绝缘部件。所述半导体部件包括第一导电型的第一半导体区域、所述第一导电型的第二半导体区域、第二导电型的第三半导体区域、以及所述第二导电型的第四半导体区域。所述第一半导体区域包括第一部分区域、第二部分区域以及第三部分区域。所述第一半导体区域在第一方向上位于所述第一电极与所述第二半导体区域之间。所述第三半导体区域在所述第一方向上位于所述第一半导体区域与所述第二半导体区域之间。所述第四半导体区域在所述第一方向上位于所述第一电极与所述第一半导体区域之间。所述第二电极与所述第二半导体区域电连接。所述第一部分区域在所述第一方向上位于所述第四半导体区域与所述第三电极之间。从所述第三电极向所述第四电极的第二方向与所述第一方向交叉。所述第二部分区域在所述第一方向上位于所述第四半导体区域与所述第四电极之间。所述第三部分区域的至少一部分位于所述第三电极与所述第四电极之间。所述第二半导体区域的至少一部分以及所述第三半导体区域的至少一部分在所述第二方向上位于所述第三电极与所述第四电极之间。所述绝缘部件的至少一部分设置在所述半导体部件与所述第三电极之间、以及所述半导体部件与所述第四电极之间。所述驱动电路能够将第一驱动信号供给至所述第三电极，并能够将第二驱动信号供给至所述第四电极。在第一动作中，所述第一驱动信号从第一电位变化为比所述第一电位高的第二电位。在所述第一动作中，所述第二驱动信号在从第三电位变化为比所述第三电位高的第四电位后，变化为所述第三电位与所述第四电位之间的第五电位。

根据上述结构的驱动装置，能够提供能够抑制损耗的驱动装置以及半导体模块。

附图说明

图1的(a)及图1的(b)是例示第一实施方式的驱动装置及半导体模块的动作的示意图。

图2是例示应用第一实施方式的驱动装置的半导体装置的示意性剖视图。

图3的(a)及图3的(b)是例示第一实施方式的驱动装置及半导体模块的动作的示意图。

图4的(a)及图4的(b)是例示第一实施方式的驱动装置及半导体模块的动作的示意图。

图5是例示应用第一实施方式的驱动装置的半导体装置的示意性剖视图。

图6是例示应用第一实施方式的驱动装置的半导体装置的示意性剖视图。

图7是例示第一实施方式的驱动装置、半导体装置以及半导体模块的示意性剖视图。

图8是例示第一实施方式的驱动装置、半导体装置以及半导体模块的示意性剖视图。