[发明专利]一种预包封基板及其制作方法

说明书

本发明申请公开了一种预包封基板及其制作方法，包括预封层和载板，所述载板表面设置有铜膜，预封层设置在载板的正上方，其特征在于，所述预封层的内部包含至少一个凸起，每个凸起的上端暴露于预封层的表面，且下端设置有引脚，引脚与铜膜齐平，每个凸起的表面设置有凹陷口用以盛放焊料和倒装贴装，每个所述凸起的上端暴露于预封层表面的方式为研磨，预封层具体为环氧树脂塑封料，每个所述凸起的表面通过部分蚀刻的方式形成凹陷口，所述凹陷口为弧度内凹陷，其深度范围为10～50μm，本发明申请改变载板的材质为单面覆铜载板，整体工艺简单高效，成本降低，减少工艺流程，焊脚的形状也可以根据实际生产需要灵活的改变。

技术领域

本发明申请属于半导体封装技术领域，尤其涉及一种预包封基板及其制作方法。

背景技术

在近年的半导体封装工业中，各种封装方法层出不穷，实现了更高的密度、更强的功能、更忧的性能、更小的体积和更低的功耗等优势，MIS框架作为一种全新的基于框架基材的封装工艺应运而生，MIS框架（Molded Interconnected System）是基于电镀堆积和预塑封技术的框架制作工艺，其包含一层或多层预包封结构，每一层都通过电镀铜来进行互连，以提供在封装过程中的电性连接，为了提高封装效率，封装厂会预制出大批量的MIS框架入库备用，后续直接在MIS框架上贴装芯片并包封等完成封装工作。

MIS框架的一般制作过程为使用特有的基板材料，即冷轧碳钢薄板及钢带为基板，基板研磨抛光提高基板表面粗糙度后氰铜电镀提高基板铁层与后续酸铜镀铜的结合力、酸铜电镀为后制程即正式电镀提供良好的生产界面，之后经过多次光刻显影后再普通电镀形成内部线路，包封为框架封装体，再将基板背面窗口蚀刻和防氧化处理，形成大批量的MIS框架入库待用，后续芯片直接贴装即可，MIS框架的制作成本较高，主要在于，首先使用的基板材料不同，钢带基板的造价肯定大幅度高于业内常用的玻璃环氧树脂等树脂类基板板材，其次氰铜电镀和酸铜电镀的基板表面处理比传统的基板粗化多了氰铜处理，成本提高，再次线宽很细、精度极高的先进半导体封装制程包封时需要使用的ABF膜，即一种用于芯片内部的绝缘填充材料，具体是用合成树脂类材料做成的薄膜，传统的环氧树脂包封料达不到精度要求，故综上MIS框架成本较高，后次在基板背面窗口蚀刻，去除大部分的钢带基板，蚀刻用料较多。

寻找MIS框架的替代方案，低成本的完成预包封基板的制作和使用此基板完成封装工艺成为各个封装厂亟待解决的问题。

发明内容

为解决上述现有技术中的问题，本发明申请提供了一种预包封基板及其制作方法。

为实现上述目的，本发明申请提出的一种预包封基板，包括预封层和载板，所述载板表面设置有铜膜，预封层设置在载板的正上方，其特征在于，所述预封层的内部包含至少一个凸起，每个凸起的上端暴露于预封层的表面，且下端设置有引脚，引脚与铜膜齐平，每个凸起的表面设置有凹陷口用以盛放焊料和倒装贴装。

进一步，每个所述凸起的上端暴露于预封层表面的方式为研磨，预封层具体为环氧树脂塑封料。

进一步，每个所述凸起的表面通过部分蚀刻的方式形成凹陷口。

进一步，所述凹陷口为弧度内凹陷，其深度范围为10～50μm。

进一步，所述铜膜通过压合形成在载板的表面，所述铜膜的厚度≥15μm。

进一步，所述凸起通过涂膜、光刻、显影和电镀的工艺形成。

一种预包封基板制作方法，包括如下步骤：

S1、提供一单面覆铜膜的载板；

S2、在载板的覆铜膜表面通过涂膜、光刻、显影和电镀的方式形成至少一个凸起，其下端设置有引脚，引脚与铜膜齐平；

S3、将每个凸起包封成为预封层，并研磨暴露出；

S4、部分蚀刻每个凸起形成凹陷口；

S5、在凹陷口表面形成防氧化层，此时预包封基板制备成功，入库待用；