[发明专利]发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210874460.1 | 申请日： | 2022-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN115295695A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 吴志伟;王燕云;熊伟平;张励国;郭桓邵 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/02;H01L33/36;H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234 | 代理人： | 包爱萍 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管，其特征在于：至少包括：
外延结构，具有第一半导体层、发光层和第二半导体层；
扩散阻挡层，设置于所述第一半导体层远离所述发光层的部分上表面；
欧姆接触层，设置于所述扩散阻挡层的部分上表面；
第一电极，位于所述欧姆接触层的上表面，且与所述第一半导体层电性连接；以及
第二电极，位于所述第二半导体层的上表面且与所述第二半导体层电性连接。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管还包括绝缘层，形成于所述外延结构上，所述绝缘层上设有导电通孔，所述第一电极和所述第二电极分别通过所述导电通孔与所述第一半导体层和所述第二半导体层电性连接。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管还包括衬底，所述衬底与所述外延结构之间设置有键合层。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述扩散阻挡层的厚度为50埃～500埃。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述扩散阻挡层为GaXIn(1-X)P,其中，0≦X≦1。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述欧姆接触层在所述外延结构上的投影位于所述第一电极在所述外延结构上的投影范围内。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电极和所述第二电极皆为金属电极，所述第一电极的上表面与所述第二电极的上表面位于同一等高面内。
8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电极包括第一接触电极和第一焊盘电极，所述第二电极包括第二接触电极和第二焊盘电极。
9.根据权利要求1至8任一项所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管的辐射光为红光或红外光。
10.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：
生长外延结构，在一生长衬底上依次生长欧姆接触层、扩散阻挡层、第一半导体层、发光层和第二半导体层，以形成外延结构；
转移外延结构，所述外延结构通过所述第二半导体层与一衬底相键合，并去除所述生长衬底；
设置电极，在所述欧姆接触层和所述扩散阻挡层的上表面形成绝缘层，所述绝缘层上设置有导电通孔，通过所述导电通孔分别在所述第一半导体层和所述第二半导体层上制作电性连接的第一电极和第二电极。
11.根据权利要求10所述的发光二极管的制备方法，其特征在于：所述第一电极的上表面和所述第二电极的上表面位于同一等高面内。
12.根据权利要10所述的发光二极管的制备方法，其特征在于：所述发光二极管的辐射光为红光或红外光。
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