[发明专利]发光二极管及其制备方法

说明书

本发明提供一种发光二极管及其制备方法。发光二极管至少可包括外延结构、扩散阻挡层、欧姆接触层、第一电极及第二电极。外延结构具有第一半导体层、发光层和第二半导体层，扩散阻挡层、欧姆接触层依序设置于第一半导体层远离发光层的部分上表面。第一电极位于欧姆接触层的上表面，且与第一半导体层电性连接，第二电极位于第二半导体层的上表面且与第二半导体层电性连接。

技术领域

本发明涉及半导体发光器件技术领域，特别涉及一种发光二极管及其制备方法。

背景技术

随着LED(发光二极管)芯片的发展和相关产品的技术更迭，Mini LED(次毫米发光二极管)芯片和Micro LED(微米发光二极管，亦称为微米LED)芯片基于其尺寸小、集成度高、响应速度快、热稳定性好能耗低等方面的优势而受到关注，并逐渐在已有产品中实现商业化应用。

现有的发光二极管多数是采用覆晶技术进行封装。LED芯片中电极通常选用金属或金属合金材料，通过高温熔合方式使得金属和半导体区形成欧姆接触，电极在合金化过程中主要为互扩散和相变反应，其中，在欧姆接触界面通常会产生空洞，使得电极很容易脱落。另一方面，如果扩散较深会导致漏电，严重影响着芯片的整体可靠性。

因此，在发光二极管中，如何减少或防止电极中金属与半导体区之间的过渡扩散，提升发光二极管的可靠性以确保芯片具有稳定的光电性能，已成为本领域的技术人员员亟待解决的技术难题之一。

发明内容

本发明一实施例提供一种发光二极管，其至少可包括外延结构、扩散阻挡层、欧姆接触层、第一电极及第二电极。外延结构具有第一半导体层、发光层和第二半导体层，扩散阻挡层、欧姆接触层依序设置于第一半导体层远离发光层的部分上表面。第一电极位于欧姆接触层的上表面，且与第一半导体层电性连接，第二电极位于第二半导体层的上表面且与第二半导体层电性连接。

在一些实施例中，发光二极管还可包括绝缘层。绝缘层形成于外延结构上，且至少覆盖第二半导体层、扩散阻挡层和欧姆接触层的部分上表面。绝缘层上配设有导电通孔，第一电极和第二电极分别通过导电通孔与第一半导体层和第二半导体层电性连接。

在一些实施例中，发光二极管还可包括衬底。衬底与外延结构之间设置有键合层。

在一些实施例中，扩散阻挡层的厚度为50埃～500埃。扩散阻挡层为Ga_XIn_(1-X)P,其中，0≦X≦1。

在一些实施例中，欧姆接触层在外延结构上的投影位于第一电极在外延结构上的投影范围内。

在一些实施例中，第一电极和所述第二电极皆为金属电极，第一电极的上表面与第二电极的上表面位于同一等高面内。第一电极包括第一接触电极和第一焊盘电极，第二电极包括第二接触电极和第二焊盘电极。

在一些实施例中，发光二极管的辐射光为红光或红外光。

本发明一实施例提供的一种发光二极管的制备方法，可用于制造具有如前所述结构的发光二极管1。发光二极管的制备方法至少可包括以下步骤：生长外延结构，在一生长衬底上依次生长欧姆接触层、扩散阻挡层、第一半导体层、发光层和第二半导体层，以形成外延结构；转移外延结构，外延结构通过第二半导体层与一衬底相键合，并去除生长衬底；设置电极，在欧姆接触层和扩散阻挡层的上表面形成绝缘层，绝缘层上设置有导电通孔，通过导电通孔分别在第一半导体层和第二半导体层上制作电性连接的第一电极和第二电极。其中，第一电极的上表面和第二电极的上表面位于同一等高面内。

本发明的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。

附图说明