[发明专利]用于存储器的检测方法

说明书

本申请公开了一种存储器的检测方法，该检测方法包括：从多个所述存储器中选取部分作为具有不同样本量的至少两组测试样本进行实际测试，根据实际测试的测试结果获取第一表征值与样本量之间的第一关系、以及第一表征值与第一失败位计数之间的第二关系；根据第一关系，将全部多个所述存储器的数量作为样本量获取其对应的第二表征值；根据第二关系，通过所述第二表征值获取多个所述存储器所对应的第二失败位计数值，将所述第二失败位计数值与预设阈值进行比较，判断多个所述存储器的质量是否达标；相比于线性延伸的判断方式，本发明的检测方法更加准确和合理。

技术领域

本发明涉及半导体测试分析技术领域，更具体地，涉及一种用于存储器的检测方法。

背景技术

现有技术中，基于测试时间和测试成本的考量，通常仅对同一批次存储器中的少部分进行测试，其测试样本量较为有限，对该存储器的判定会基于该有限样本量的测试进行推测，推测其整个批次的测试结果，并根据推测的测试结果结合具体的标准判定该批次存储器的合格与否以及其品质等级。

存储器的失败位计数作为评判存储器性能的一项重要指标，现有的存储器失败位计数的推测，其通常根据实际的少量测试的结果绘制对应的失败位计数图示以及对应的扇区失效率示意图，并基于扇区失效率示意图中已有的数据点位进行线性延伸，将延伸线在样本量为整个批次的数量时所对应的点作为该批次存储器失败位计数的推测值，并根据该推测值评定该批次的存储器，但该推测方法所获得的推测值相较于实际该批次全部的存储器进行测试获得的实际结果而言，推测值普遍偏大，以此对该批次存储器进行评判会导致合格品被误判为不合格品，造成产量损失等问题。

发明内容

本公开的目的是提供一种用于存储器的检测方法，其中，通过表征值与失败位计数之间的对应关系，通过对其中部分存储器进行实际测试即可推测获得该批次所有存储器的测试结果，相较于现有的检测方式，本发明的检测方法所获得的测试结果更加准确和合理，可以有效减少合格品被误判为不合格品的现象。

本发明提供了一种用于存储器的检测方法，其特征在于，包括：从多个所述存储器中选取部分作为具有不同样本量的至少两组测试样本进行实际测试，根据实际测试的测试结果获取表征值与样本量之间的第一关系、以及表征值与失败位计数之间的第二关系；根据第一关系，将全部多个所述存储器的数量作为样本量获取其对应的计算表征值；根据第二关系，通过所述计算表征值获取多个所述存储器所对应的计算失败位计数值，将所述计算失败位计数值与预设阈值进行比较；其中，表征值用于表示所述存储器的存储单元中不同存储状态的电压阈值之间的距离及交叠程度。

在一些实施例中，所述存储器为TLC存储器、MLC存储器中的任意一种。

在一些实施例中，当表征值为最小值时，其所对应的失败位计数为最大值，所述表征值的最小值与样本量之间的关系拟合为曲线。

在一些实施例中，所述表征值的最小值随着样本量的增加而收敛。

在一些实施例中，通过二分法逐次逼近的方式获取所述表征值。

在一些实施例中，所述表征值的最小值与所述失败位计数的最大值之间的关系可以表示为二次多项式、三次多项式、四参数多项式中的至少一种。

在一些实施例中，所述实际测试包括对至少两组不同样本量的样本进行若干次的读写循环。

在一些实施例中，所述实际测试的测试电压包括多个所述存储器的存储单元中相邻两个电位层级之间失败位计数最小时所对应的电压值。

在一些实施例中，所述表征值与所述失败位计数值为负相关，所述表征值越大，其对应的失败位计数值越小。