[发明专利]半导体装置及控制方法在审

专利信息
申请号: 202210883815.3 申请日: 2022-07-26
公开(公告)号: CN116302096A 公开(公告)日: 2023-06-23
发明(设计)人: 辻伸广 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: G06F9/30 分类号: G06F9/30
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 徐殿军
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其具有:

第1芯片,具有输入来自主设备的信号的端子;

第2芯片组,所述第2芯片组是与所述第1芯片电连接的多个第2芯片;以及

第3芯片组,所述第3芯片组是与所述第2芯片组并联地与所述第1芯片电连接的多个第3芯片;

所述第1芯片具有:

命令队列,保存从所述主设备接收到的多个读取命令;以及

读取缓冲存储器,将读取数据缓冲;

将保存在所述命令队列中的所述多个读取命令向所述第2芯片组或所述第3芯片组依次发布;

从所述第2芯片组或所述第3芯片组将与所述多个读取命令对应的读取数据向所述读取缓冲存储器保存;

基于所述多个读取命令中的任一个读取命令的执行状态,将保存在所述读取缓冲存储器的读取数据中的任一个读取数据向所述主设备发送。

2.如权利要求1所述的半导体装置,其中,

所述第1芯片从所述第2芯片组或所述第3芯片组将与所述多个读取命令中的第1读取命令对应的一部分读取数据向所述读取缓冲存储器保存;

所述第1芯片基于所述第1读取命令以外的第2读取命令的执行状态,从所述第2芯片组或所述第3芯片组将与所述第1读取命令对应的剩余的读取数据向所述读取缓冲存储器保存。

3.如权利要求1所述的半导体装置,其中,

保存在所述命令队列中的所述多个读取命令的执行顺序是可变的。

4.如权利要求1所述的半导体装置,其中,

所述第1芯片还具有写入缓冲存储器;

从所述主设备接收写入命令,将所述写入命令所涉及的写入数据保存到所述写入缓冲存储器,将保存的所述写入数据向所述第2芯片组或所述第3芯片组写入。

5.如权利要求1所述的半导体装置,其中,

所述第1芯片从所述主设备接收与所述读取命令不同的命令,进一步将所述不同的命令向所述命令队列保存。

6.如权利要求1所述的半导体装置,其中,

所述第1芯片在从所述主设备接收到指定优先执行的命令的优先命令的情况下,根据接收到的所述优先命令,执行保存在命令队列中的所述优先执行的命令。

7.如权利要求1所述的半导体装置,其中,

所述第2芯片及所述第3芯片的芯片分别定义有多个作为并行动作要素的平面;

所述第1芯片向主设备发送编辑了各平面的状态的信息。

8.一种控制方法,是控制能够与主设备连接的半导体装置的控制方法,所述半导体装置具有:

第1芯片,具有保存从所述主设备接收到的多个读取命令的命令队列和将读取数据缓冲的读取缓冲存储器;

第2芯片组,所述第2芯片组是与所述第1芯片电连接的多个第2芯片;以及

第3芯片组,所述第3芯片组是与所述第2芯片组并联地与所述第1芯片电连接的多个第3芯片,所述控制方法包括如下步骤:

将保存在所述命令队列中的所述多个读取命令向所述第2芯片组或所述第3芯片组依次发布;

从所述第2芯片组或所述第3芯片组将与所述多个读取命令对应的读取数据向所述读取缓冲存储器保存;

基于所述多个读取命令中的任一个读取命令的执行状态,将保存在所述读取缓冲存储器的读取数据中的任一个读取数据向所述主设备发送。

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