[发明专利]显示面板及其制备方法、显示装置在审
| 申请号： | 202210888925.9 | 申请日： | 2022-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN115347051A | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 史金明 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/84 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 唐秀萍 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
基板；以及
薄膜晶体管层，设于所述基板的一侧；所述薄膜晶体管层内设有至少一薄膜晶体管，每一薄膜晶体管包括设于所述基板上的栅极层以及设于所述栅极层远离所述基板一侧的栅极保护层。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述栅极保护层为蓝光吸收层，所述蓝光吸收层的材质为二氧化钛。
3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述栅极保护层为蓝光反射层，所述蓝光反射层的材质为氧化铝。
4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述栅极保护层的膜层厚度为5纳米～10纳米。
5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：
栅极绝缘层，设于所述基板上并覆盖所述栅极保护层；
有源层，设于所述栅极绝缘层远离所述基板的一侧；所述有源层包括半导体区以及导体区，所述半导体区与所述栅极层相对设置，所述导体区围绕所述半导体区；以及
源漏极层，设于所述有源层的导体区远离所述栅极绝缘层的一侧。
6.一种显示面板的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1～5中任一项所述的显示面板，所述显示面板的制备方法包括以下步骤：
提供一基板；以及
在所述基板上制备薄膜晶体管层，包括在所述基板上制备栅极层以及在所述栅极层上制备栅极保护层。
7.如权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述在所述基板上制备薄膜晶体管层的步骤还包括：
在所述栅极保护层上制备栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上制备有源层；
在所述有源层上制备源漏极层；以及
在所述源漏极层、所述有源层以及所述栅极绝缘层上制备钝化层。
8.如权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述在所述栅极绝缘层上制备有源层的步骤包括：
在所述栅极绝缘层上制备导体层，所述导体层上设有沟道；
在所述栅极绝缘层以及所述导体层上以及所述沟道内沉积半导体材料；
烘烤所述基板，对所述基板进行脱氢处理；以及
对脱氢处理后的所述半导体材料上与所述栅极层相对设置的区域进行蓝色激光退火处理，使所述半导体材料结晶为多晶硅。
9.如权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述烘烤所述基板的步骤中，烘烤温度为400℃～500℃，烘烤时间为2小时～3小时。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～5中任一项所述的显示面板。
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