[发明专利]显示面板及其制备方法、显示装置

说明书

本申请公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，所述显示面板包括：基板；以及薄膜晶体管层，设于所述基板的一侧；所述薄膜晶体管层内设有至少一薄膜晶体管，每一薄膜晶体管包括设于所述基板上的栅极层以及设于所述栅极层远离所述基板一侧的栅极保护层。本申请的技术效果在于，在栅极层上增设一层栅极保护层，防止在蓝色激光退火处理过程中产生的蓝光对栅极层造成损伤，避免所述显示面板以及所述显示装置内器件的功能受损，在提高底栅薄膜晶体管的迁移率的同时，进一步提高显示面板的生产良率。

技术领域

本申请涉及显示领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。

背景技术

目前低温多晶硅薄膜晶体管器件(LTPS-TFT)大都采用准分子激光退火技术(ELA)，在结晶过程中温度梯度呈纵向分布，为纵向结晶，其结晶的晶粒小，导致迁移率在50～100cm²/Vs，迁移率不能更大，而基于蓝色激光退火技术(BLDA)的低温多晶硅薄膜晶体管器件，由于能量密度大，在结晶过程中温度梯度为横向分布，为横向结晶，结晶的晶粒大，迁移率可以做到300cm²/Vs以上，大大提高了迁移率。

但是对于底栅薄膜晶体管器件(Bottom Gate TFT)来说，使用蓝色激光退火技术的过程中，高能量的蓝色激光会损伤栅极线，且温度分布不均一会导致器件功能受损，如何避免高能蓝色激光损伤栅极线，是蓝色激光退火技术应用于底栅薄膜晶体管器件时必须要解决的问题。

发明内容

本申请的目的在于，提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，可以解决采用蓝色激光退火技术对底栅薄膜晶体管器件中的栅极线损伤较大等技术问题。

为实现上述目的，本申请提供一种显示面板，包括：基板；以及薄膜晶体管层，设于所述基板的一侧；所述薄膜晶体管层内设有至少一薄膜晶体管，每一薄膜晶体管包括设于所述基板上的栅极层以及设于所述栅极层远离所述基板一侧的栅极保护层。

进一步地，所述栅极保护层为蓝光吸收层，所述蓝光吸收层的材质为二氧化钛。

进一步地，所述栅极保护层为蓝光反射层，所述蓝光反射层的材质为氧化铝。

进一步地，所述栅极保护层的膜层厚度为5纳米～10纳米。

进一步地，所述薄膜晶体管还包括：栅极绝缘层，设于所述基板上并覆盖所述栅极保护层；有源层，设于所述栅极绝缘层远离所述基板的一侧；所述有源层包括半导体区以及导体区，所述半导体区与所述栅极层相对设置，所述导体区围绕所述半导体区；以及源漏极层，设于所述有源层的导体区远离所述栅极绝缘层的一侧。

为实现上述目的，本申请还提供一种显示面板的制备方法，用于制备如前文所述的显示面板，所述显示面板的制备方法包括以下步骤：提供一基板；以及在所述基板上制备薄膜晶体管层，包括在所述基板上制备栅极层以及在所述栅极层上制备栅极保护层。

进一步地，所述在所述基板上制备薄膜晶体管层的步骤还包括：在所述栅极保护层上制备栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上制备有源层；在所述有源层上制备源漏极层；以及在所述源漏极层、所述有源层以及所述栅极绝缘层上制备钝化层。

进一步地，所述在所述栅极绝缘层上制备有源层的步骤包括：在所述栅极绝缘层上制备导体层，所述导体层上设有沟道；在所述栅极绝缘层以及所述导体层上以及所述沟道内沉积半导体材料；烘烤所述基板，对所述基板进行脱氢处理；以及对脱氢处理后的所述半导体材料上与所述栅极层相对设置的区域进行蓝色激光退火处理，使所述半导体材料结晶为多晶硅。

进一步地，所述烘烤所述基板的步骤中，烘烤温度为400℃～500℃，烘烤时间为2小时～3小时。

为实现上述目的，本申请还提供一种显示装置，包括如前文所述的显示面板。