[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、显示面板在审
| 申请号： | 202210898927.6 | 申请日： | 2022-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN115132819A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 卓恩宗;杨凤云;袁海江 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/10;H01L29/16;H01L21/336;H01L29/786;H01L27/12;H01L27/32;H01L27/15 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 杨振礼 |
| 地址： | 518101 广东省深圳市宝安区石岩街道石龙社区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
提供基板，在所述基板表面形成绝缘层，所述基板和所述绝缘层构成半导体结构；及
以预设条件在所述半导体结构的表面形成沟道层，所述沟道层的材质包括微晶硅，所述预设条件包括预设温度区间。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述以预设条件在所述半导体结构的表面形成沟道层包括：
以预设温度区间和第一气氛在所述半导体结构的表面形成第一沟道层；
对所述第一沟道层进行第二气氛处理；及
在所述第一沟道层的表面形成第二沟道层，所述第一沟道层和所述第二沟道层共同构成沟道层。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述第一气氛包括第一气体和第二气体，所述第一气体为还原性气体，所述第二气体包括含硅的化合物，所述第一气体和所述第二气体的气体流量比值在30-180之间。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述预设温度区间为200℃-400℃。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述微晶硅的电子迁移率在2cm2/Vs-5cm2/Vs之间。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述提供基板之后，以及在所述在所述基板表面形成绝缘层，所述基板和所述绝缘层构成半导体结构之前，所述方法还包括：
在所述基板表面形成栅极。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述以预设条件在所述半导体结构的表面形成沟道层之后，还包括：
在所述沟道层上形成源极和漏极，并使所述源极和所述漏极电连接至所述沟道层。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述在所述沟道层上形成源极和漏极，并使所述源极和所述漏极电连接至所述沟道层之后，还包括：
在所述源极及所述漏极远离所述沟道层的一侧形成保护层。
9.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管采用如权利要求1-8任一项所述的方法制备而成。
10.一种显示面板，其特征在于，包括发光组件和如权利要求9所述的薄膜晶体管，所述发光组件与所述薄膜晶体管电连接。
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