[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、显示面板

说明书

本申请提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板，包括：提供基板，在所述基板表面形成绝缘层，所述基板和所述绝缘层构成半导体结构；及以预设条件在所述半导体结构的表面形成沟道层，所述沟道层的材质包括微晶硅，所述预设条件包括预设温度区间。本申请的技术方案能够在保证沟道层有较佳的电子迁移率的同时其制备过程不对基板造成损伤。

技术领域

本申请涉及显示领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板。

背景技术

目前，薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)在显示面板中广泛的被用作开关器件或驱动器件。薄膜晶体管包括用于导通电路的沟道层，现有技术中沟道层普遍采用将非晶半导体层经过一道高温退火工艺来制备。非晶半导体层在高温中形成多晶半导体层，以使原子有序度提高，从而提高其电子迁移率，而沟道层的电子迁移率的提高对驱动器件的响应速度的改善尤为重要。但是这种高温处理工艺，会对承载沟道层的基板产生伤害，从而影响薄膜晶体管的工作稳定性。如何能够在提高电子迁移率的同时不影响基板的结构完整性为业界持续探索的课题。

发明内容

本申请的实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板，本申请的制备方法能够在保证沟道层有较佳的电子迁移率的同时其制备过程不对基板造成损伤。

第一方面，本申请提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括：

提供基板，在所述基板表面形成绝缘层，所述基板和所述绝缘层构成半导体结构；及

以预设条件在所述半导体结构的表面形成沟道层，所述沟道层的材质包括微晶硅，所述预设条件包括预设温度区间。

可以理解的是，本申请在沉积沟道层的过程中，直接在较低温度下形成微晶硅。微晶硅的沟道层具有更好的结构有序性，良好的结构有序性使微晶硅具有更高的电子迁移率。并且本申请提供的沟道层在结晶化形成微晶时，基板的结构不会受到温度的影响，从而使基板可以保持完整的结构。

一种可能的实施方式中，所述以预设条件在所述半导体结构的表面形成沟道层包括：

以预设温度区间和第一气氛在所述基板的表面形成第一沟道层；

对所述第一沟道层进行第二气氛处理；及

在所述第一沟道层的表面形成第二沟道层，所述第一沟道层和所述第二沟道层共同构成沟道层。

一种可能的实施方式中，所述第一气氛包括第一气体和第二气体，所述第一气体为还原性气体，所述第二气体包括含硅的化合物，所述第一气体和所述第二气体的气体流量比值在30-180之间。

一种可能的实施方式中，所述预设温度区间为200℃-400℃。

一种可能的实施方式中，所述微晶硅的电子迁移率在2cm²/Vs-5cm²/Vs之间。

一种可能的实施方式中，在所述提供基板之后，以及在所述在所述基板表面形成绝缘层，所述基板和所述绝缘层构成半导体结构之前，所述方法还包括：

在所述基板表面形成栅极。

一种可能的实施方式中，在所述以预设条件在所述半导体结构的表面形成沟道层还包括：

在所述沟道层上形成源极和漏极，并使所述源极和所述漏极电连接至所述沟道层。

一种可能的实施方式中，在所述在所述沟道层上形成源极和漏极，并使所述源极和所述漏极电连接至所述沟道层之后，还包括：

在所述源极及所述漏极远离所述沟道层的一侧形成保护层。

第二方面，本申请还提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管采用如上所述的方法制备而成。