[发明专利]基于固态硬盘主控芯片的闪存测试方法、装置及固态硬盘

说明书

本发明公开了基于固态硬盘主控芯片的闪存测试方法、装置及固态硬盘，所述固态硬盘主控芯片包括快闪存储器阵列，所述方法包括：从快闪存储器阵列的目标块中读取数据；将读取的数据与预存到目标块的数据进行比较，得到错误信息，错误信息包括错误数据以及错误地址；根据错误信息确定目标块的比特错误率；根据比特错误率，确定出快闪存储器阵列中的坏块。该方法能通过闪存电路内部自动的写、读、回读比对流程，得到全片擦除后的快闪存储器阵列内的错误信息，进而确定出快闪存储器阵列中的坏块。

技术领域

本发明涉及数据存储技术领域，尤其涉及一种基于固态硬盘主控芯片的闪存测试方法、装置及固态硬盘。

背景技术

固态硬盘是传统机械式硬盘的替代品，一个典型的固态硬盘，其内部电路包括主控芯片、DDR内存颗粒、NAND Flash闪存芯片颗粒（也可简称为“闪存”）、SPI Flash颗粒等。NAND Flash闪存存储器芯片颗粒是固态硬盘内部用于承载存储数据的主体。NAND Flash中的数据在系统掉电后不会丢失，重新上电后，其中的数据仍在，拥有这一特性的存储器，业内将之称作“非易失存储器”。

出于生产良率的考虑，NAND Flash内部总是会有少量的一些块，在出厂时，这些块内带有固有的、无法修复的缺陷、错误，无法正常进行读/写/擦操作。这些块被称作“出厂坏块”，用户不能使用这些块进行数据的存储。每颗NAND Flash的出厂坏块地址都是随机的，每1000个Block中，可能有十个以内的出厂坏块。NAND Flash厂家会把这些出厂坏块标记出来，以方便用户查询。

现有技术都有专门的出厂坏块扫描的步骤，要么是一个单独的扫描出厂坏块的步骤，要么是作为“开卡”工序的一个子步骤，待扫出坏块后，再写入进固态硬盘内部的存储空间。这些步骤需要消耗相应的生产时间或测试时间，从而降低了固态硬盘的生产效率/测试效率。且当NAND Flash进行过全片擦除后，可能导致出厂坏块标记会全部丢失，使得再也无法检测出出厂坏块，现有技术还未提出针对此类问题的解决手段。

发明内容

本申请实施例通过提供了一种基于固态硬盘主控芯片的闪存测试方法、装置及固态硬盘，能通过闪存电路内部自动的写、读、回读比对流程，得到全片擦除后的快闪存储器阵列内的错误信息，进而确定出快闪存储器阵列中的坏块，且该方法无需单独的工序进行监测，提高了生产效率。

第一方面，本发明通过本发明的一实施例提供如下技术方案：

一种基于固态硬盘主控芯片的闪存测试方法，所述固态硬盘主控芯片包括快闪存储器阵列，所述方法包括：从所述快闪存储器阵列的目标块中读取数据；将读取的数据与预存到所述目标块的数据进行比较，得到错误信息，所述错误信息包括错误数据以及错误地址；根据所述错误信息确定所述目标块的比特错误率；根据所述比特错误率，确定出所述快闪存储器阵列中的坏块。

优选地，所述根据所述比特错误率，确定出所述快闪存储器阵列中的坏块，包括：若所述比特错误率大于预设错误阈值，则确定所述目标块为坏块。

优选地，所述根据所述比特错误率，确定出所述快闪存储器阵列中的坏块，包括：监测所述快闪存储器阵列中目标块的工作电流；基于所述比特错误率以及所述工作电流，确定出所述快闪存储器阵列中的坏块。

优选地，所述基于所述比特错误率以及所述工作电流，确定出所述快闪存储器阵列中的坏块，包括：基于所述比特错误率、预设比特错误率加权因子、所述工作电流以及预设电流加权因子，确定所述目标块的退化分值，其中，所述退化分值表示所述目标块的退化程度得分；基于所述退化分值，确定所述目标块是否为坏块。

优选地，所述根据所述比特错误率，确定出所述快闪存储器阵列中的坏块，包括：获取所述快闪存储器阵列中目标块进行写、擦时的用时时长；基于所述比特错误率以及所述用时时长，确定出所述快闪存储器阵列中的坏块。