[发明专利]一种晶圆封装方法及管芯封装体有效
| 申请号： | 202210902105.0 | 申请日： | 2022-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN114975248B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 陈国栋;姚军亭 | 申请（专利权）人： | 山东中清智能科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L23/367 |
| 代理公司： | 苏州集律知识产权代理事务所(普通合伙) 32269 | 代理人： | 安纪平 |
| 地址： | 264200 山东省威海市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 封装 方法 管芯 | ||
1.一种晶圆封装方法，其特征在于：该晶圆封装方法包括以下步骤：
提供一载板，在所述载板上形成第一封装层，接着在所述第一封装层上设置一晶圆，所述晶圆包括多个管芯阵列，相邻管芯阵列之间设置切割区，每个所述管芯阵列包括N*N个呈矩阵排列的管芯，其中，N不小于5，每个所述管芯阵列中的相邻管芯之间不设置切割区，每个所述管芯阵列包括功能管芯和伪管芯；
对所述晶圆进行第一切割处理，以在相邻两个所述管芯阵列之间的所述切割区中形成多个镂空部，且在相邻两个所述镂空部之间形成连接相邻两个管芯阵列的连接部；
对所述晶圆进行第一刻蚀处理，以在每个所述管芯阵列中的伪管芯上形成一环形固定槽，每个环形固定槽包括多个分离设置贯穿孔；
对所述晶圆进行第二刻蚀处理，以在每个所述管芯阵列中的伪管芯上形成一热扩散孔，所述环形固定槽围绕所述热扩散孔；
对所述晶圆进行封装处理，以形成第二封装层；
去除所述热扩散孔中的封装材料以暴露所述伪管芯，接着在所述热扩散孔中形成导热柱；
接着去除所述载板，在所述晶圆上形成重新分布层；以及
再次沿着所述切割区对所述晶圆进行第二切割处理，以形成多个分离的管芯封装体。
2.根据权利要求1所述的晶圆封装方法，其特征在于：在所述第一封装层上设置所述晶圆时，通过热压合工艺使得所述晶圆的一部分嵌入到所述第一封装层中。
3.根据权利要求1所述的晶圆封装方法，其特征在于：所述伪管芯包括位于所述管芯阵列的中心区域的第一伪管芯和位于所述管芯阵列的四个角落处的第二伪管芯。
4.根据权利要求3所述的晶圆封装方法，其特征在于：所述第一伪管芯和所述第二伪管芯的尺寸与所述功能管芯的尺寸相同。
5.根据权利要求1所述的晶圆封装方法，其特征在于：相邻的两个所述贯穿孔的净距大于所述贯穿孔的孔径。
6.根据权利要求1所述的晶圆封装方法，其特征在于：在每个所述管芯阵列中的伪管芯上形成一热扩散孔之后，进一步在所述第一封装层上形成与所述热扩散孔连通的第一通孔，所述第一通孔的孔径小于所述热扩散孔的孔径。
7.根据权利要求1所述的晶圆封装方法，其特征在于：在所述热扩散孔中形成所述导热柱之前，对所述热扩散孔的侧壁进行粗糙化处理。
8.根据权利要求1所述的晶圆封装方法，其特征在于：在所述热扩散孔中形成导热柱之后且去除所述载板之前，在所述第二封装层上形成第三封装层，并使得所述导热柱的一部分嵌入到所述第三封装层中。
9.一种管芯封装体，其特征在于，所述管芯封装体采用权利要求1-8任一项所述的晶圆封装方法制备形成的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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