[发明专利]一种晶圆封装方法及管芯封装体

说明书

本发明涉及一种晶圆封装方法及管芯封装体，涉及半导体封装技术领域。在本发明的晶圆封装方法中，每个所述管芯阵列包括功能管芯和伪管芯。上述结构的设置，由于仅在每个所述管芯阵列中的伪管芯上形成环形固定槽和热扩散孔，每个环形固定槽包括多个分离设置贯穿孔，所述环形固定槽围绕所述热扩散孔，进而可以避免在每个管芯上都要设置固定槽和热扩散槽，而在其它的制备工艺中，在功能管芯的表面形成固定槽和热扩散槽的过程中，容易导致芯片产生裂纹进而损坏，而本发明中仅在伪管芯中设置环形固定槽和热扩散孔，进而不对功能管芯进行任何刻蚀处理，进而可以提高晶圆封装的良率。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种晶圆封装方法及管芯封装体。

背景技术

在现有的晶圆封装工艺中，为了便于芯片的散热，通常需要在芯片的背面设置凹槽，进而在凹槽中设置导热结构。然而，在形成凹槽的过程中，容易导致芯片损坏，进而造成良率降低。且在后续封装的过程中，由于导热结构的热膨胀系数和芯片的热膨胀系数不同，在后续的使用过程中，容易导致芯片产生裂纹，进而造成芯片在使用过程中损坏，进而导致使用寿命减少。

发明内容

本发明的目的之一在于克服现有技术中所述的缺陷，从而提供一种晶圆封装方法及管芯封装体。

更具体的，本发明涉及一种晶圆封装方法，该晶圆封装方法包括以下步骤：

提供一载板，在所述载板上形成第一封装层，接着在所述第一封装层上设置一晶圆，所述晶圆包括多个管芯阵列，相邻管芯阵列之间设置切割区，每个所述管芯阵列包括N*N个呈矩阵排列的管芯，其中，N不小于5，每个所述管芯阵列中的相邻管芯之间不设置切割区，每个所述管芯阵列包括功能管芯和伪管芯。

对所述晶圆进行第一切割处理，以在相邻两个所述管芯阵列之间的所述切割区中形成多个镂空部，且在相邻两个所述镂空部之间形成连接相邻两个管芯阵列的连接部。

对所述晶圆进行第一刻蚀处理，以在每个所述管芯阵列中的伪管芯上形成一环形固定槽，每个环形固定槽包括多个分离设置贯穿孔。

对所述晶圆进行第二刻蚀处理，以在每个所述管芯阵列中的伪管芯上形成一热扩散孔，所述环形固定槽围绕所述热扩散孔。

对所述晶圆进行封装处理，以形成第二封装层。

去除所述热扩散孔中的封装材料以暴露所述伪管芯，接着在所述热扩散孔中形成导热柱。

接着去除所述载板，在所述晶圆上形成重新分布层。

再次沿着所述切割区对所述晶圆进行第二切割处理，以形成多个分离的管芯封装体。

根据本发明的实施例，在所述第一封装层上设置所述晶圆时，通过热压合工艺使得所述晶圆的一部分嵌入到所述第一封装层中。

根据本发明的实施例，所述伪管芯包括位于所述管芯阵列的中心区域的第一伪管芯和位于所述管芯阵列的四个角落处的第二伪管芯。

根据本发明的实施例，所述第一伪管芯和所述第二伪管芯的尺寸与所述功能管芯的尺寸相同。

根据本发明的实施例，相邻的两个所述贯穿孔的净距大于所述贯穿孔的孔径。

根据本发明的实施例，在每个所述管芯阵列中的伪管芯上形成一热扩散孔之后，进一步在所述第一封装层上形成与所述热扩散孔连通的第一通孔，所述第一通孔的孔径小于所述热扩散孔的孔径。

根据本发明的实施例，在所述热扩散孔中形成所述导热柱之前，对所述热扩散孔的侧壁进行粗糙化处理。

根据本发明的实施例，在所述热扩散孔中形成导热柱之后且去除所述载板之前，在所述第二封装层上形成第三封装层，并使得所述导热柱的一部分嵌入到所述第三封装层中。