[发明专利]输入电容测定电路及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种输入电容测定电路，其对半导体装置的输入电容进行测定，

其中，该输入电容测定电路具有：

变压器，其包含初级配线和次级配线；

第1电容器；

第2电容器；以及

第3电容器，

所述变压器的所述初级配线的一端设置为能够与所述半导体装置的阳极连接，

所述变压器的所述初级配线的另一端与所述第1电容器的一端连接，

所述变压器的所述次级配线的一端设置为能够与所述半导体装置的阴极连接，

所述变压器的所述次级配线的另一端与所述第2电容器的一端连接，

所述第3电容器的一端设置为能够与所述半导体装置的所述阴极连接，

所述第1电容器的另一端、所述第2电容器的另一端和所述第3电容器的另一端彼此电连接。

2.根据权利要求1所述的输入电容测定电路，其中，

所述变压器的所述初级配线所包含的初级线圈的匝数与所述变压器的所述次级配线所包含的次级线圈的匝数相同。

3.根据权利要求1或2所述的输入电容测定电路，其中，

所述第1电容器的静电电容与所述第2电容器的静电电容相同。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的输入电容测定电路，其中，

所述阳极及所述阴极与所述半导体装置的集电极电极及发射极电极各自对应，或者与所述半导体装置的漏极电极及源极电极各自对应。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的输入电容测定电路，其中，还具有：

第1电阻，其将所述变压器的所述初级配线的所述一端和所述另一端连接；以及

第2电阻，其将所述变压器的所述次级配线的所述一端和所述另一端连接，

所述第1电阻的电阻值与所述第2电阻的电阻值相同。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的输入电容测定电路，其中，

还具有包含初级配线和次级配线的电流信号生成用变压器，

所述电流信号生成用变压器的所述初级配线的一端设置为能够与所述半导体装置的栅极电极连接，

所述电流信号生成用变压器的所述次级配线的一端与所述第1电容器的所述另一端、所述第2电容器的所述另一端、所述第3电容器的所述另一端电连接。

7.一种半导体装置的制造方法，通过权利要求6所述的输入电容测定电路对所述半导体装置的所述输入电容进行测定，其中，

将所述变压器的所述初级配线的所述一端连接于所述半导体装置的所述阳极，

将所述变压器的所述次级配线的所述一端和所述第3电容器的所述一端连接于所述半导体装置的所述阴极，

将所述电流信号生成用变压器的所述初级配线的所述一端连接于所述半导体装置的所述栅极电极，

将所述电流信号生成用变压器的所述次级配线的所述一端与所述第1电容器的所述另一端、所述第2电容器的所述另一端及所述第3电容器的所述另一端电连接，

将所述电流信号生成用变压器的所述初级配线的另一端连接于LCR测量仪的信号发生器，

将所述半导体装置的所述栅极电极和所述阴极连接于所述LCR测量仪的电压计，

将所述电流信号生成用变压器的所述次级配线的另一端连接于所述LCR测量仪的电流电压变换电路，

将所述第1电容器的所述另一端、所述第2电容器的所述另一端、所述第3电容器的所述另一端连接于所述LCR测量仪的接地，

从所述LCR测量仪的所述信号发生器将高频信号施加于所述半导体装置的所述栅极电极，

作为从所述栅极电极经由所述半导体装置的所述阳极和所述阴极而流过所述输入电容测定电路的电流，对从所述接地经由所述电流信号生成用变压器而流入至所述电流电压变换电路的电流进行测定，

通过所述电压计对所述半导体装置的所述栅极电极和所述阴极之间的电压进行测定，

基于所述电流和所述电压，对所述半导体装置的所述输入电容进行测定。