[发明专利]一种基于硅衬底的梳齿状通道热雾化器及其制造方法

权利要求书

1.一种基于硅衬底的梳齿状通道热雾化器，其特征在于，包括：硅衬底(1)和电极(2)，所述电极(2)制作于所述硅衬底(1)表面，所述电极(2)呈环状结构，所述电极(2)内侧的所述硅衬底(1)表面上设置有若干个第一条形孔(11)，所述电极(2)两侧的所述硅衬底(1)表面上设置有若干个梳齿型雾化通道(12)，所述梳齿型雾化通道(12)包括第二条形孔(121)和若干个第三条形孔(122)，若干个所述第三条形孔(122)平行等距布置，所述第二条形孔(121)设置在所述第三条形孔(122)远离所述电极(2)一端，所述第三条形孔(122)连通至第二条形孔(121)。

2.根据权利要求1所述的一种基于硅衬底的梳齿状通道热雾化器，其特征在于，相邻两个所述梳齿型雾化通道(12)之间设置有至少一个第四条形孔(13)，所述第四条形孔(13)平行于所述第三条形孔(122)。

3.根据权利要求2所述的一种基于硅衬底的梳齿状通道热雾化器，其特征在于，相邻两个所述梳齿型雾化通道(12)之间设置有两个所述第四条形孔(13)。

4.根据权利要求1所述的一种基于硅衬底的梳齿状通道热雾化器，其特征在于，所述硅衬底(1)的电阻率1-100Ω·cm。

5.根据权利要求1或4所述的一种基于硅衬底的梳齿状通道热雾化器，其特征在于，所述硅衬底(1)的厚度为100-500微米。

6.一种基于硅衬底的梳齿状通道热雾化器制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在硅衬底(1)上生长10-2000nm的Ti/Au材料；

S2、对生长了Ti/Au材料金属层的所述硅衬底(1)进行匀胶光刻；

S3、用等离子体刻蚀或者化学腐蚀液方式将所述硅衬底(1)上裸露的金属蚀刻干净，形成电极(2)；

S4、对所述硅衬底(1)进行第二次光刻，采用反应离子刻蚀方法将微通道加工通孔加工完成；

S5、去除所述硅衬底(1)上多余光刻胶并清洗干净，得到雾化器。

7.根据权利要求6所述的一种基于硅衬底的梳齿状通道热雾化器制造方法，其特征在于，在所述步骤S1中，在硅衬底(1)上通过电子束蒸镀或者反应溅射方式生长Ti/Au材料。

8.根据权利要求6所述的一种基于硅衬底的梳齿状通道热雾化器制造方法，其特征在于，在所述步骤S4中，所述微通道加工通孔包括第一条形孔(11)、梳齿型雾化通道(12)和第四条形孔(13)。

9.根据权利要求6所述的一种基于硅衬底的梳齿状通道热雾化器制造方法，其特征在于，在所述步骤S5中，采用化学清洗结合氧气等离子体清洗方式，去除所述硅衬底(1)上多余光刻胶。