[发明专利]一种基于硅衬底的梳齿状通道热雾化器及其制造方法

说明书

本发明公开了一种基于硅衬底的梳齿状通道热雾化器，包括：硅衬底和电极，电极制作于硅衬底表面，电极呈环状结构，电极内侧的硅衬底表面上设置有若干个第一条形孔，电极两侧的硅衬底表面上设置有若干个梳齿型雾化通道，梳齿型雾化通道包括第二条形孔和若干个第三条形孔，若干个第三条形孔平行等距布置，第二条形孔设置在第三条形孔远离电极一端，第三条形孔连通至第二条形孔。本发明还公开了一种基于硅衬底的梳齿状通道热雾化器制造方法。本发明相较于现有技术，提高雾化通道的加工效率，减少硅衬底上电极热量损失，提高热雾化器芯片的雾化效率。

技术领域

本发明属于热雾化器芯片领域，尤其涉及一种基于硅衬底的梳齿状通道热雾化器及其制造方法。

背景技术

现有技术中雾化器多基于陶瓷芯片，陶瓷雾化器主要由陶瓷和发热膜两部分构成，陶瓷经过高温烧结制成碗状结构，发热膜设计成特定形状附着在陶瓷表面，在工作过程中，发热膜通过均匀发热，把液体加热形成雾气，由陶瓷蜂窝孔散发。

现有陶瓷雾化器中陶瓷微孔尺寸的加工难度大，均匀性难以保证，导致雾化均匀性不佳，因此市场上还有一种硅衬底雾化器。现有硅衬底雾化器中在硅衬底上制造小孔径气孔，但是在硅衬底上加工高深宽比的圆孔状雾化通道，刻蚀效率低下。此外，硅衬底上电极热量容易通过硅导出散失，造成功率浪费。

发明内容

本发明的目的在于：提供一种基于硅衬底的梳齿状通道热雾化器及其制造方法，提高雾化通道的加工效率，减少硅衬底上电极热量损失，提高热雾化器芯片的雾化效率。

为了实现上述目的，一方面，本发明提供了一种基于硅衬底的梳齿状通道热雾化器，包括：硅衬底和电极，电极制作于硅衬底表面，电极呈环状结构，电极内侧的硅衬底表面上设置有若干个第一条形孔，电极两侧的硅衬底表面上设置有若干个梳齿型雾化通道，梳齿型雾化通道包括第二条形孔和若干个第三条形孔，若干个第三条形孔平行等距布置，第二条形孔设置在第三条形孔远离电极一端，第三条形孔连通至第二条形孔。

作为上述技术方案的进一步描述：

相邻两个梳齿型雾化通道之间设置有至少一个第四条形孔，第四条形孔平行于第三条形孔。

作为上述技术方案的进一步描述：

相邻两个梳齿型雾化通道之间设置有两个第四条形孔。

作为上述技术方案的进一步描述：

硅衬底的电阻率1-100Ω·cm。

作为上述技术方案的进一步描述：

硅衬底的厚度为100-500微米。

另一方面，本发明还提供了一种基于硅衬底的梳齿状通道热雾化器制造方法，包括以下步骤：

S1、在硅衬底上生长10-2000nm的Ti/Au材料；

S2、对生长了Ti/Au材料金属层的硅衬底进行匀胶光刻；

S3、用等离子体刻蚀或者化学腐蚀液方式将硅衬底上裸露的金属蚀刻干净，形成电极；

S4、对硅衬底进行第二次光刻，采用反应离子刻蚀方法将微通道加工通孔加工完成；

85、去除硅衬底上多余光刻胶并清洗干净，得到雾化器。

作为上述技术方案的进一步描述：

在步骤S1中，在硅衬底上通过电子束蒸镀或者反应溅射方式生长Ti/Au材料。

作为上述技术方案的进一步描述：

在步骤S4中，微通道加工通孔包括第一条形孔、梳齿型雾化通道和第四条形孔。

作为上述技术方案的进一步描述：