[发明专利]电源钳位电路及芯片在审

专利信息
申请号: 202210914547.7 申请日: 2022-08-01
公开(公告)号: CN115296282A 公开(公告)日: 2022-11-04
发明(设计)人: 陶略;芦俊;潘希武 申请(专利权)人: 展讯通信(上海)有限公司
主分类号: H02H9/00 分类号: H02H9/00;H02H9/02;H02H9/04
代理公司: 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 代理人: 孙峰芳
地址: 201203 上海市浦东新区浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 电源 电路 芯片
【权利要求书】:

1.一种电源钳位电路,其特征在于,包括:驱动子电路和泄放子电路,其中,

所述驱动子电路包括:

第一PMOS管,所述第一PMOS管的源端与电源线连接,所述第一PMOS管的栅端与地线连接;

电容,所述电容一端与所述第一PMOS管的漏端连接,另一端与地线连接;

第二PMOS管,所述第二PMOS管的源端与电源线连接,所述第二PMOS管的栅端与所述第一PMOS管的漏端连接;

第一NMOS管,所述第一NMOS管的漏端与所述第二PMOS管的漏端连接,所述第一NMOS管的栅端与所述第一PMOS管的漏端连接,所述第一NMOS管的源端与地线连接;

所述泄放子电路包括:

第二NMOS管,所述第二NMOS管的漏端与电源线连接,所述第二NMOS管的栅端与所述第二PMOS管的漏端连接,所述第二NMOS管的源端与地线连接。

2.根据权利要求1所述的电源钳位电路,其特征在于,所述驱动子电路还包括:

第三NMOS管,所述第三NMOS管的漏端与所述第一PMOS管的漏端连接,所述第三NMOS管的栅端和源端与地线连接;

电阻,所述电阻的一端与所述第二PMOS管的漏端连接,另一端与地线连接。

3.根据权利要求2所述的电源钳位电路,其特征在于,若选择5伏NMOS,所述第三NMOS管的一次击穿电压不超过10伏,当浪涌电压大于所述第三NMOS管的一次击穿电压时,所述第三NMOS管发生骤回,使得所述第二NMOS管导通泄放浪涌电流。

4.根据权利要求2所述的电源钳位电路,其特征在于,所述电阻的阻值满足:当所述第二PMOS管导通时,所述电阻上的电压大于所述第二NMOS管的阈值电压,使得所述第二NMOS管导通。

5.根据权利要求1或2所述的电源钳位电路,其特征在于,所述第二NMOS管为大尺寸NMOS管,其宽度尺寸大于500微米。

6.一种芯片,其特征在于,所述芯片包括如权利要求1-5中任一项所述的电源钳位电路。

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