[发明专利]半导体元件在审
| 申请号： | 202210915066.8 | 申请日： | 2018-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN115313147A | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 徐子杰;黄意雯;陈守龙;陈新纲 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/183;H01S5/42;H01S5/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王锐 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体元件，包含︰
基板；
半导体叠层，位于该基板上且包含第一反射结构、第二反射结构以及位于该第一反射结构以及该第二反射结构之间的共振腔区域，其中该半导体叠层包含第一表面以及相对于该第一表面的第二表面；
第一电极，位于该第一表面且与该第一反射结构电连接；
第二电极，位于该第一表面且与该第二反射结构电连接；以及
导电层，位于该第二表面且位于该基板及该半导体叠层之间；
其中，该共振腔区域可发射一辐射，且该辐射可穿透该导电层且从该基板逸散至该半导体元件之外。
2.一种半导体元件，包含︰
基板；
半导体叠层，位于该基板上且包含第一反射结构、第二反射结构以及位于该第一反射结构以及该第二反射结构之间的共振腔区域，其中该半导体叠层包含第一表面以及相对于该第一表面的第二表面；
第一电极，位于该第一表面且与该第一反射结构电连接；
第二电极，位于该第一表面且与该第二反射结构电连接；
导电层，位于该第二表面且位于该基板及该半导体叠层之间；以及
孔洞，贯穿该导电层。
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