[发明专利]半导体元件

说明书

本发明公开一种半导体元件，其包含︰一半导体叠层，其包含一第一反射结构、一第二反射结构以及一位于第一反射结构以及第二反射结构之间的共振腔区域，其中共振腔区域包含一第一表面、一于第一表面的第二表面以及一位于第一表面以及第二表面的侧壁，相较于第二反射结构，第一表面较接近第一反射结构；一与第一反射结构电连接的第一电极；以及一与第二反射结构电连接的第二电极，其中第二电极包含一电极垫部位以及一自电极垫部位延伸的侧部位；其中第一电极以及第二电极的电极垫部位位于第一表面上，且第二电极的侧部位覆盖共振腔区域的侧壁。

本申请是中国发明专利申请(申请号：201810436344.5，申请日：2018年05月09日，发明名称：半导体元件)的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种半导体元件，尤其是涉及一种包含共振腔区域的半导体元件。

背景技术

垂直腔面发射激光器(vertical cavity surface emitting laser，VCSEL)可以发出一方向垂直于活性区域的光。VCSEL包含一结构，其包含一对反射镜叠层，以及位于一对反射镜叠层之间的一活性区域。一第一电极以及一第二电极分别设置于一对反射镜叠层的上侧和下侧。电流通过第一电极以及第二电极注入活性区域以使活性区域发光，且光是自上述结构发射出。

发明内容

本发明内容提供一种半导体元件，其包含︰一半导体叠层，其包含一第一反射结构、一第二反射结构以及一位于第一反射结构以及第二反射结构之间的共振腔区域，其中共振腔区域包含一第一表面、一于第一表面的第二表面以及一位于第一表面以及第二表面的侧壁，相较于第二反射结构，第一表面较接近第一反射结构；一与第一反射结构电连接的第一电极；以及一与第二反射结构电连接的第二电极，其中第二电极包含一电极垫部位以及一自电极垫部位延伸的侧部位；其中第一电极以及第二电极的电极垫部位位于第一表面上，且第二电极的侧部位覆盖共振腔区域的侧壁。

本发明内容又提供一种半导体元件，其包含︰一半导体叠层，其包含一第一反射结构、一第二反射结构以及一位于第一反射结构以及第二反射结构之间的共振腔区域，其中共振腔区域包含一第一表面、一于第一表面的第二表面以及一位于第一表面以及第二表面的侧壁，相较于第二反射结构，第一表面较接近第一反射结构；一与第一反射结构电连接的第一电极；一与第二反射结构电连接的第二电极；以及一第一导电层位于共振腔区域的第二表面上，第一电极与第二电极位于第一导电层的同一侧。

附图说明

图1为本发明内容的第一实施例的半导体元件的俯视图；

图2为本发明内容的第一实施例的半导体元件沿着如图1的A-A’线的剖视图；

图3A至图3F为制造如图1以及图2所示的半导体元件的方法的示意图；

图4A为本发明内容的第二实施例的半导体元件的剖视图；

图4B为本发明内容的制造第二实施例的半导体元件的方法中，形成第一导电层之后的俯视图；

图5为本发明内容的第三实施例的半导体元件的剖视图；

图6A至图6F为制造如图5所示的半导体元件的方法的示意图；

图7为本发明内容的第四实施例的半导体元件的剖视图；

图8A至图8I为制造如图7所示的第四实施例的半导体元件的方法的示意图；

图9为本发明内容的第五实施例的半导体元件的剖视图；

图10为本发明内容的第六实施例的半导体元件的剖视图；

图11A为本发明内容的第七实施例的半导体元件的剖视图；

图11B为本发明内容的第八实施例的半导体元件的剖视图；