[发明专利]集成电路芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路芯片，包括：

前段制程FEOL结构；

后段制程BEOL结构，在所述FEOL结构上；

其中所述BEOL结构包括：

最后金属结构，提供结合焊盘；

钝化结构，覆盖所述最后金属结构的外围区域，并且包括延伸穿过所述钝化结构、并且暴露所述最后金属结构的上表面的第一开口；

共形氮化物层，在所述钝化结构上延伸，并且与所述最后金属结构的所述上表面接触；以及

绝缘材料层，覆盖所述共形氮化物层，并且包括延伸穿过所述绝缘材料层和所述共形氮化物层的第二开口，其中在所述最后金属结构的所述上表面上的所述共形氮化物层的底部与所述第二开口自对准。

2.根据权利要求1所述的集成电路芯片，其中所述钝化结构包括氧化物层。

3.根据权利要求1所述的集成电路芯片，其中所述钝化结构包括氧化物层和氮化物层。

4.根据权利要求1所述的集成电路芯片，其中所述最后金属结构包括铝焊盘。

5.根据权利要求1所述的集成电路芯片，其中所述最后金属结构包括铜焊盘。

6.根据权利要求1所述的集成电路芯片，其中所述最后金属结构包括：

金属焊盘，在所述BEOL结构的最上部金属化层处；以及

金属帽修整结构，与所述金属焊盘的上表面接触。

7.根据权利要求6所述的集成电路芯片，其中所述金属焊盘由铜制成，并且所述金属帽修整结构由铝制成。

8.根据权利要求6所述的集成电路芯片，进一步包括在所述最上部金属化层的顶表面上的绝缘层堆叠，其中第三开口延伸穿过所述绝缘层堆叠以暴露所述金属焊盘的所述上表面的一部分，并且其中所述金属帽修整结构进一步在所述绝缘层堆叠的上表面上延伸。

9.根据权利要求8所述的集成电路芯片，其中所述绝缘层堆叠包括：

氮化物层，在所述最上部金属化层的所述顶表面上；以及

氧化物层，在所述氮化物层之上。

10.根据权利要求1所述的集成电路芯片，进一步包括无源电路组件，所述无源电路组件具有电连接到所述最后金属结构的端子。

11.根据权利要求10所述的集成电路芯片，其中所述无源电路组件形成于所述BEOL结构的一个或多个金属化层中。

12.根据权利要求10所述的集成电路芯片，其中所述无源电路组件是电感器或电容器中的一者。

13.一种方法，包括：

在提供结合焊盘的最后金属结构上沉积钝化层；

形成延伸穿过所述钝化层的第一开口以限定钝化结构并且暴露所述最后金属结构的上表面；

共形地沉积氮化物层，所述氮化物层在所述钝化结构上延伸，并且与所述最后金属结构的所述上表面接触；

用绝缘材料层涂覆所述氮化物层；

形成延伸穿过所述绝缘体材料层的第二开口；以及

使用具有所述第二开口的所述绝缘体材料层作为掩模以蚀刻穿过所述氮化物层并且暴露所述最后金属结构的所述上表面，其中在所述最后金属结构的所述上表面上的所述氮化物层的底部与所述第二开口自对准。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述钝化层包括氧化物层。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述钝化层包括氧化物层和所述氮化物层的堆叠。

16.根据权利要求13所述的方法，其中所述最后金属结构包括铝焊盘。