[发明专利]集成电路芯片及其制造方法

说明书

本公开的实施例涉及集成电路芯片及其制造方法。用于集成电路芯片的后段制程(BEOL)结构包括提供焊盘的最后金属结构。焊盘上的钝化结构包括第一开口，其延伸暴露焊盘的上表面。共形氮化物层在钝化结构上延伸并与焊盘的上表面接触。绝缘材料层覆盖共形氮化物层，并包括延伸穿过绝缘材料层和共形氮化物层两者的第二开口。在焊盘的上表面上的共形氮化物层的底部与第二开口自对准。

技术领域

实施例涉及一种集成电路芯片，并且明确地涉及一种用于高电压结合焊盘的架构，其利用与所述焊盘接触并且自对准到光敏绝缘体的钝化氮化物层。

背景技术

在本领域中已知集成电路芯片包括在金属化层中的高压集成无源元件，例如电感器或电容器，所述金属化层在制造有源集成电路元件(例如晶体管)的半导体衬底上延伸。此无源组件的端子可电连接到集成电路芯片的高压金属结合焊盘。本领域的技术人员认识到，如果将钝化氮化物层放置成与高压金属结合焊盘接触(即，物理连接到高压金属结合焊盘)，那么存在显著的可靠性优点。制造这种物理连接的现有技术的当前状态是利用在现有技术中称为镍－钯精整的后段制程(BEOL)处理中的构造。然而，镍－钯精整在技术平台中并不总是可用的。当镍－钯精整不可用时，本领域技术人员已知的替代方案是在后端精整工艺中利用专用的处理掩模，以便在钝化氮化物层和金属焊盘之间形成连接。这种解决方案增加了集成电路制造的额外成本。

因此，在本领域中需要一种BEOL工艺，其支持在钝化氮化物层和高压金属焊盘之间形成物理连接，而不需要专门的镍－钯精整或专用的处理掩模。

发明内容

在一个实施例中，集成电路芯片包括：前段制程(FEOL)结构和在FEOL结构上的后段制程(BEOL)结构。所述BEOL结构包括：提供结合焊盘的最后金属结构；钝化结构，其覆盖所述最后金属结构的外围区域并且包括延伸穿过所述钝化结构并且暴露所述最后金属结构的上表面的第一开口；共形氮化物层，其在所述钝化结构上延伸并且与所述最后金属结构的上表面接触；以及绝缘材料层，其覆盖所述共形氮化物层并且包括延伸穿过所述绝缘材料层和所述共形氮化物层两者的第二开口，其中所述共形氮化物层在所述最后金属结构的上表面上的底部部分与所述第二开口自对准。

在一个实施例中，方法包括：在提供结合焊盘的最后金属结构上沉积钝化层；形成延伸穿过钝化层的第一开口以限定钝化结构并且暴露最后金属结构的上表面；共形地沉积氮化物层，所述氮化物层在所述钝化结构上延伸并且与所述最后金属结构的上表面接触；用绝缘材料层涂覆氮化物层；形成延伸穿过所述绝缘体材料层的第二开口；以及使用具有所述第二开口的所述绝缘体材料层作为掩模以蚀刻穿过所述氮化物层并且暴露所述最后金属结构的所述上表面，其中所述最后金属结构的所述上表面上的所述氮化物层的底部部分与所述第二开口自对准。

附图说明

为了更好地理解实施例，现在将仅通过示例的方式参考附图，其中：

图1示出了集成电路芯片的横截面；

图2至图8示出了制造图1所示结构的后段制程(BEOL)过程中的步骤；

图9示出了集成电路芯片的可选实施例的横截面；

图10至16示出了制造图9所示结构的BEOL工艺中的步骤；以及

图17和图18示出了集成电路芯片的另一可选实施例的横截面。

具体实施方式