[发明专利]基于SOI工艺的带隙基准电路

说明书

本发明涉及一种基于SOI工艺的带隙基准电路，采用带隙基准核心电路和驱动增强电路构成，带隙基准核心电路包括负反馈支路与正反馈支路。由此，可基于温度补偿技术，利用横向正偏二极管结电压之差的正温度特性，并且作用在电阻R2上产生对数特性的正温度系数电流，再通过高精度电流镜像电路，在电阻R3上产生正温度系数电压，并抵消横向正偏二极管结电压的负温度系数，实现了高精度温度补偿。采用源极驱动的方式进行电压输出，极大地提高基准电压的负载驱动能力。可复用带隙基准核心电路产生的偏置电流，以节省额外的电流消耗，从而实现低功耗。

技术领域

本发明涉及一种电路构造，尤其涉及一种基于SOI（Silicon-on-Insulator，绝缘体上硅）工艺的带隙基准电路。

背景技术

高精度带隙基准电压源广泛应用于多种电子设备和系统中。比如电源、数据转换器、片上系统等等。带隙基准电压源为电路与系统提供不随温度、电源和工艺波动的稳定基准电压，保证后续电路模块的精确工作，需满足一定精度设计；对温度波动不敏感、对电源的波动敏感度低。随着集成电路技术的发展，电路和系统对内部带隙基准电压源的性能要求越来越高。

为了解决带隙基准电压的负载驱动能力不足的问题，通常的方法是在带隙基准电压的后级额外增加一个缓冲器。这个缓冲器能够将带隙基准电压复制到缓冲器的输出端，同时又能增强其输出端电压的负载驱动能力，并且可以根据需要调整这个缓冲器的相关参数，以获得电路系统所需的负载驱动能力。

但是，目前常用的上述解决方法虽然能够一定程度上解决负载驱动能力不足的问题，但是也带来了很多缺点，具体如下：

1、缓冲器或多或少会存在误差，并不能保证其输出的参考电压与带隙基准电压完全相同，这就引入了系统误差，而且这个系统误差是随机的，不可预知，也就很难控制。

2、为了获得所需的负载驱动能力，缓冲器需要消耗非常大的电流，有些情况下其电流可能超过带隙基准电压源的电流，得不偿失。

3、缓冲器在版图上可能与带隙基准电压源相隔比较远，这样就导致带隙基准电压的走线很长，一方面长走线会导致电压下降，另一方面长走线会受到周围其他走线的干扰。

4、缓冲器作为额外添加的电路模块，增加了电路设计难度和复杂度，不方便集成调试与优化。

有鉴于上述的缺陷，本设计人，积极加以研究创新，以期创设一种基于SOI工艺的带隙基准电路，使其更具有产业上的利用价值。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种基于SOI工艺的带隙基准电路。