[发明专利]电子装置的制造方法在审
申请号: | 202210918353.4 | 申请日: | 2022-08-01 |
公开(公告)号: | CN116190257A | 公开(公告)日: | 2023-05-30 |
发明(设计)人: | 蔡宗翰;刘敏钻;纪仁海 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 吴会英;刘芳 |
地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 制造 方法 | ||
1.一种电子装置的制造方法,其特征在于,包括:
提供基板;
设置电路层在所述基板上;
设置多个调谐元件在所述电路层上;
提供第一逆向偏压于所述多个调谐元件,使所述多个调谐元件可被测试其个别的第一电性变化;以及
对所述多个调谐元件进行所述第一电性变化的分析。
2.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法,其特征在于,在对所述多个调谐元件进行所述第一电性变化的分析而检测到至少一个调谐元件具有缺陷之后,对具有缺陷的所述至少一个调谐元件进行修补。
3.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法,其特征在于,还包括设置封装层在所述多个调谐元件上。
4.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法,其特征在于,还包括提供处理芯片,其中所述处理芯片与所述多个调谐元件电性连接。
5.根据权利要求4所述的电子装置的制造方法,其特征在于,还包括提供第二逆向偏压于所述多个调谐元件,使所述多个调谐元件可被测试其个别的第二电性变化。
6.根据权利要求5所述的电子装置的制造方法,其特征在于,所述处理芯片用以接收所述第二电性变化,且所述处理芯片将所述第二电性变化转化成电性数据并存储所述电性数据。
7.根据权利要求5所述的电子装置的制造方法,其特征在于,在对所述多个调谐元件进行所述第一电性变化的分析而检测到至少一个调谐元件具有缺陷之后,在提供所述第二逆向偏压之前对具有缺陷的所述至少一个调谐元件进行修补。
8.一种电子装置的制造方法,其特征在于,包括:
提供基板;
设置电路层在所述基板上;
设置多个调谐元件在所述电路层上;
提供第一顺向偏压于所述多个调谐元件,使所述多个调谐元件可被测试其个别的第一光波特性变化;以及
对所述多个调谐元件进行所述第一光波特性变化的分析。
9.根据权利要求8所述的电子装置的制造方法,其特征在于,在对所述多个调谐元件进行所述第一光波特性变化的分析而检测到至少一个调谐元件具有缺陷之后,对具有缺陷的所述至少一个调谐元件进行修补。
10.根据权利要求8所述的电子装置的制造方法,其特征在于,还包括设置封装层在所述多个调谐元件上。
11.根据权利要求8所述的电子装置的制造方法,其特征在于,还包括提供第二顺向偏压于所述多个调谐元件,使所述多个调谐元件可被测试其个别的第二光波特性变化。
12.根据权利要求11所述的电子装置的制造方法,其特征在于,还包括提供处理芯片,其中所述处理芯片用以接收所述第二光波特性变化,且所述处理芯片将所述第二光波特性变化转化成电性数据并存储所述电性数据。
13.根据权利要求11所述的电子装置的制造方法,其特征在于,在对所述多个调谐元件进行所述第一光波特性变化的分析而检测到至少一个调谐元件具有缺陷之后,在提供所述第二顺向偏压之前对具有缺陷的所述至少一个调谐元件进行修补。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于群创光电股份有限公司,未经群创光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210918353.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造