[发明专利]电子装置的制造方法在审
申请号: | 202210918353.4 | 申请日: | 2022-08-01 |
公开(公告)号: | CN116190257A | 公开(公告)日: | 2023-05-30 |
发明(设计)人: | 蔡宗翰;刘敏钻;纪仁海 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 吴会英;刘芳 |
地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 制造 方法 | ||
本揭露提供一种电子装置的制造方法,包括以下步骤。首先,提供基板。接着,设置电路层在基板上。再来,设置多个调谐元件在电路层上。之后,提供逆向偏压或顺向偏压于多个调谐元件,使多个调谐元件可被测试其个别的电性变化或光波特性变化。然后,对多个调谐元件进行电性变化或光波特性变化的分析。本揭露实施例的电子装置的制造方法可提供可靠的电子元件的测试方法。
技术领域
本揭露涉及一种电子装置的制造方法。
背景技术
为了确保电子装置中的电子元件可正常地运作,在形成电子装置的过程中会对电子元件进行测试,因此,电子元件的测试规划是形成电子装置的过程中重要的部分。
发明内容
本揭露提供一种电子装置的制造方法,其可提供可靠的电子元件的测试方法。
根据本揭露的实施例,电子装置的制造方法包括以下步骤。首先,提供基板。接着,设置电路层在基板上。再来,设置多个调谐元件在电路层上。之后,提供第一逆向偏压于多个调谐元件,使多个调谐元件可被测试其个别的第一电性变化。然后,对多个调谐元件进行第一电性变化的分析。
根据本揭露的实施例,电子装置的制造方法包括以下步骤。首先,提供基板。接着,设置电路层在基板上。再来,设置多个调谐元件在电路层上。之后,提供第一顺向偏压于多个调谐元件,使多个调谐元件可被测试其个别的第一光波特性变化。然后,对多个调谐元件进行第一光波特性变化的分析。
为让本揭露的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。
附图说明
包含附图以便进一步理解本揭露,且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本揭露的实施例,并与描述一起用于解释本揭露的原理。
图1A至图1H为本揭露一实施例的电子装置的局部制作流程的剖面示意图;
图2A示出电子装置的电路图的一实施例;
图2B示出电子装置的电路图的另一实施例;
图3为依据图1E的第一实施例的俯视示意图;
图4为依据图1E的第二实施例的俯视示意图;
图5为依据图1E的第三实施例的俯视示意图;
图6为依据图1E的第四实施例的俯视示意图;
图7为依据图1E的第五实施例的俯视示意图;
图8为依据图1E的第六实施例的俯视示意图;
图9为依据图1E的第七实施例的俯视示意图。
具体实施方式
通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭露,须注意的是,为了使读者能容易了解及附图的简洁,本揭露中的多张附图只绘出电子装置的一部分,且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外,图中各元件的数量及尺寸仅作为示意,并非用来限制本揭露的范围。
本揭露通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解,电子装置制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求中,“包括”、“含有”、“具有”等词为开放式词语,因此其应被解释为“含有但不限定为…”之意。因此,当本揭露的描述中使用术语“包括”、“含有”和/或“具有”时,其指定了相应的特征、区域、步骤、操作和/或构件的存在,但不排除一个或多个相应的特征、区域、步骤、操作和/或构件的存在。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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