[发明专利]阵列式薄膜温差传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列式薄膜温差传感器，其特征在于，包括基片以及位于所述基片上的正极敏感层和负极敏感层；所述正极敏感层包括第一正极、第二正极、第三正极以及第四正极，所述负极敏感层包括第一负极、第二负极以及第三负极，所述第一正极的一端与所述第一负极的一端通过第一热结点连接，所述第二正极的一端与所述第二负极的一端通过第二热结点连接，所述第一负极的另一端、所述第三负极的一端均与所述第三正极的一端通过第三热结点连接，所述第二负极的另一端、所述第三负极的另一端均与所述第四正极的一端通过第四热结点连接，所述第一正极的另一端与所述第三正极的另一端相对设置且分别形成第一测试端与第三测试端，所述第二正极的另一端与所述第四正极的另一端相对设置且分别形成第二测试端与第四测试端。

2.根据权利要求1所述的阵列式薄膜温差传感器，其特征在于，所述正极敏感层的制备材料选自W-5Re热偶材料、Pt-10Rh热偶材料、Pt-13Rh热偶材料以及Ni-10Cr热偶材料中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述的阵列式薄膜温差传感器，其特征在于，所述负极敏感层的制备材料选自W-26Re热偶材料、Pt热偶材料以及Ni-3Si热偶材料中的一种或几种。

4.根据权利要求1～3任意一项所述的阵列式薄膜温差传感器，其特征在于，所述基片的厚度为300μm-500μm。

5.根据权利要求1～3任意一项所述的阵列式薄膜温差传感器，其特征在于，所述基片为硅基底、碳化硅基底或者蓝宝石基底。

6.根据权利要求1～3任意一项所述的阵列式薄膜温差传感器，其特征在于，所述第一热结点与所述第二热结点之间的间距等于所述第三热结点与所述第四热结点之间的间距。

7.根据权利要求1～3任意一项所述的阵列式薄膜温差传感器，其特征在于，所述第一热结点与所述第三热结点之间的间距等于所述第二热结点与所述第四热结点之间的间距相等。

8.根据权利要求1～3任意一项所述的阵列式薄膜温差传感器，其特征在于，所述阵列式薄膜温差传感器还包括第一导引线、第二导引线、第三导引线以及第四导引线，所述第一导引线的一端连接于所述第一测试端，所述第二导引线的一端连接于所述第二测试端，所述第三导引线的一端连接于所述第三测试端，所述第四导引线的一端连接于所述第四测试端。

9.权利要求1～8任意一项所述的阵列式薄膜温差传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

获取基片；

采用光刻工艺在所述基片上形成正极图案；

采用直流磁控溅射技术在所述正极图案上沉积获得正极敏感层；

采用光刻工艺在所述基片上形成负极图案；

采用直流磁控溅射技术在所述负极图案上沉积获得负极敏感层。

10.根据权利要求9所述的阵列式薄膜温差传感器的制备方法，其特征在于，还包括如下步骤：获取基片后，将所述基片依次经过酒精、丙酮、酒精超声清洗处理以及烘干处理。

11.根据权利要求9或10所述的阵列式薄膜温差传感器的制备方法，其特征在于，采用直流磁控溅射技术在所述正极图案上沉积获得正极敏感层时，磁控溅射的真空达到2.8×10^-7～3.0×10^-7Torr，控制氩气流速为45～60sccm，溅射功率为230～280W。

12.根据权利要求9或10所述的阵列式薄膜温差传感器的制备方法，其特征在于，采用直流磁控溅射技术在所述负极图案上沉积获得负极敏感层时，磁控溅射的真空达到2.8×10^-7～3.0×10^-7Torr，控制氩气流速为45～60sccm，溅射功率为180～220W。