[发明专利]半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基底，所述基底上形成有介质层；

形成第一开口，所述第一开口贯穿所述介质层且暴露出所述基底；

形成保护层，所述保护层至少覆盖所述第一开口的侧壁与所述介质层的表面，并执行一热处理工艺致密化所述保护层；

以致密化的所述保护层为掩膜刻蚀所述第一开口下的所述基底形成第二开口，所述第一开口侧壁与所述介质层表面仍保留部分厚度的所述保护层。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述介质层中嵌设有金属层，所述保留的部分厚度所述保护层与与所述金属层接触且覆盖所述金属层。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述保护层的材质包括：SiO₂、SiON、SiBCN、SiCN中的至少一种。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺或者化学气相沉积工艺形成所述保护层。

5.如权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，采用所述原子层沉积工艺中，通过重复执行交替给反应室提供硅源气体和氧源气体的循环形成所述保护层，所述硅源气体选自氯化硅化合物，所述氧源气体选自水或过氧化氢。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述基底与所述介质层之间，和/或所述介质层的表面形成有导电薄膜层，形成所述第一开口时，所述第一开口还贯穿所述导电薄膜层。

7.如权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述导电薄膜层包括低k介质层与金属层依次交替层叠的堆叠结构，所述低k介质层的介电系数小于等于3.5。

8.如权利要求7所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述低k介质层包括氮化硅层、氧化硅层、氮掺杂的碳化硅层、碳掺杂的氧化硅以及聚酰亚胺膜中的至少一种。

9.如权利要求1至8任意一项所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成所述第二开口之后，还包括：

形成互连层，所述互连层填充所述第一开口与所述第二开口以形成硅通孔；所述互连层的材质包括铝、铜、钨以及钴中的至少一种。

10.一种半导体器件，其特征在于，包括：

基底，所述基底上形成有介质层，所述介质层中嵌设有金属层；

第一开口，所述第一开口贯穿所述介质层；

致密化的保护层，所述致密化的保护层至少覆盖所述第一开口的侧壁与所述介质层的表面，并与所述金属层接触且覆盖所述金属层；

第二开口，位于所述第一开口正下方的所述基底内，所述第二开口为在所述基底的厚度方向上将所述第一开口顺沿至所述基底内部；

互连层，所述互连层填充所述第一开口与所述第二开口以形成硅通孔，其中，在所述第一开口所在处的所述互连层与所述介质层之间形成有所述致密化的保护层。