[发明专利]显示面板的制备方法以及显示装置在审
申请号: | 202210923738.X | 申请日: | 2022-08-02 |
公开(公告)号: | CN115207262A | 公开(公告)日: | 2022-10-18 |
发明(设计)人: | 张亮 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 熊恒定 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制备 方法 以及 显示装置 | ||
1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述制备方法至少包括:
提供量子点荧光膜和发光基板,其中,所述量子点荧光膜包括多个阵列排布的量子点涂层,所述发光基板包括多个阵列排布的发光单元;
在所述量子点荧光膜和所述发光基板的其中之一上形成第一过孔,所述第一过孔贯穿所述量子点荧光膜或所述发光基板;
在所述量子点荧光膜和所述发光基板的其中另一上形成对应于所述第一过孔的第二过孔或光反射点,所述第二过孔贯穿所述量子点荧光膜或所述发光基板;以及,
通过所述第一过孔和所述第二过孔或通过所述第一过孔和所述光反射点,将所述量子点荧光膜与所述发光基板进行对位,以使多个所述量子点涂层与多个所述发光单元一一对应。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述通过所述第一过孔和所述第二过孔或通过所述第一过孔和所述光反射点,将所述量子点荧光膜与所述发光基板进行对位,以使多个所述量子点涂层与多个所述发光单元一一对应的步骤,至少包括:
在形成有所述第一过孔的所述量子点荧光膜或所述发光基板的下方设置激光平台;
在所述通过所述第一过孔和所述第二过孔或通过所述第一过孔和所述光反射点,将所述量子点荧光膜与所述发光基板进行对位的过程中,计算所述激光平台接收到的光通量;以及,
当所述光通量达到最大值时,确定多个所述量子点涂层与多个所述发光单元已一一对应。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,当所述量子点荧光膜和所述发光基板的其中另一上形成了对应于所述第一过孔的所述第二过孔时,所述在形成有所述第一过孔的所述量子点荧光膜或所述发光基板的下方设置激光平台的步骤,具体包括:
在形成有所述第一过孔的所述量子点荧光膜或所述发光基板的下方设置第一激光平台,并在形成有所述第二过孔的所述量子点荧光膜或所述发光基板的上方设置第二激光平台;
其中,当所述第一激光平台和所述第二激光平台的其中之一被配置为发出激光时,所述第一激光平台和所述第二激光平台的其中另一被配置为通过所述第一过孔和所述第二过孔接收所述激光。
4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,当所述量子点荧光膜和所述发光基板的其中另一上形成了对应于所述第一过孔的所述光反射点时,所述在形成有所述第一过孔的所述量子点荧光膜或所述发光基板的下方设置激光平台的步骤,具体包括:
在形成有所述第一过孔的所述量子点荧光膜或所述发光基板的下方设置第三激光平台,其中,所述第三激光平台被配置为发出激光,并被配置为通过所述第一过孔和所述光反射点接收所述激光。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述第一过孔的数量为多个,各所述第一过孔的过孔面积不同,所述第二过孔的数量为多个,各所述第二过孔的过孔面积不同,多个所述第一过孔和多个所述第二过孔按所述过孔面积的大小一一对应。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,多个所述第一过孔和多个所述第二过孔分别在第一方向和/或第二方向上按所述过孔面积的大小有序排列,所述第一方向与所述第二方向具有夹角。
7.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,多个所述第一过孔和多个所述第二过孔分别分散设置于所述量子点荧光膜和所述发光基板中。
8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,多个所述第一过孔和多个所述第二过孔分别位于所述量子点荧光膜和所述发光基板的边缘。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,当所述量子点荧光膜和所述发光基板上分别形成了位于所述边缘的所述第一过孔和所述第二过孔时,在所述通过所述第一过孔和所述第二过孔或通过所述第一过孔和所述光反射点,将所述量子点荧光膜与所述发光基板进行对位,以使多个所述量子点涂层与多个所述发光单元一一对应的步骤之后,还包括:
对所述第一过孔和所述第二过孔进行切除。
10.一种显示装置,其特征在于,至少包括利用如权利要求1至9任一项所述的制备方法制备而成的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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H01L51-54 .. 材料选择