[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板

说明书

本发明涉及一种阵列基板及其制作方法和显示面板，包括：衬底，衬底上设有阵列排布的多个像素区域，各像素区域包括多个子像素区域，各子像素区域均包括开口区和非开口区，非开口区内设有薄膜晶体管；第一子像素区域内的薄膜晶体管为第一薄膜晶体管；阵列基板还包括依次形成在衬底上的第一色阻层和光吸收层，第一色阻层位于第一薄膜晶体管远离衬底的一侧，第一色阻层的至少部分位于第一子像素区域的开口区内，光吸收层位于第一子像素区域的非开口区内，且覆盖第一薄膜晶体管，其中，光吸收层的激发波长大于第一色阻层的激发波长。本方案的阵列基板及其制作方法和显示面板降低了光引发剂吸附于薄膜晶体管上的可能。

技术领域

本申请属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板。

背景技术

液晶显示器件（TFT-LCD）通常由彩膜工艺、阵列工艺、成盒工艺及模组工艺进行制备。其中，目前流行的彩膜工艺常采用COA技术，即利用黄光工艺将色阻层制备于阵列基板上。

其中，业界采用的曝光工艺常使用365nm-395nm之间的激发波长。因此，若色阻层的发射波长接近365nm-395nm，且使用365nm-395nm之间的激发波长的黄光曝光该色阻层时，由于两者的波长相近，故容易使得大部分黄光穿过该色阻层，进而直接照射在TFT（薄膜晶体管）上的金属层上，最终引发光生电现象；并且，黄光穿过该色阻层直接照射在TFT（薄膜晶体管）上的金属界面层后，会将该色阻层内部的光引发剂吸附于TFT上的金属界面层上，造成靠近金属界面层的色阻层能够引发聚合反应，远离金属界面层上方的色阻层不能引发饱和聚合反应，最终导致TFT上方的色阻层发生Peeling（分离）问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种阵列基板及其制作方法和显示面板，降低了光引发剂吸附于薄膜晶体管上的可能。

本发明第一方面公开了一种阵列基板，包括：衬底，所述衬底上设有阵列排布的多个像素区域，各所述像素区域包括多个子像素区域，各所述子像素区域均包括开口区和非开口区，所述非开口区内设有薄膜晶体管；

所述多个子像素区域包括第一子像素区域，所述第一子像素区域内的所述薄膜晶体管为第一薄膜晶体管；

所述阵列基板还包括依次形成在所述衬底上的第一色阻层和光吸收层，所述第一色阻层位于所述第一薄膜晶体管远离所述衬底的一侧，所述第一色阻层的至少部分位于所述第一子像素区域的开口区内，所述光吸收层位于所述第一子像素区域的非开口区内，且覆盖所述第一薄膜晶体管，其中，

所述光吸收层的激发波长大于所述第一色阻层的激发波长。

在本发明的一种示例性实施例中，所述第一色阻层为蓝色色阻层。

在本发明的一种示例性实施例中，所述多个子像素区域还包括第二子像素区域，所述第二子像素区域内的所述薄膜晶体管为第二薄膜晶体管，所述阵列基板还包括第二色阻层，所述第二色阻层的至少部分位于所述第二子像素区域的开口区内，其中，

所述第二色阻层与所述光吸收层为相同颜色的色阻层，且所述第二色阻层与所述光吸收层同层设置。

在本发明的一种示例性实施例中，所述子像素区域还包括第三子像素区域，所述第三子像素区域内的所述薄膜晶体管为第三薄膜晶体管，所述阵列基板还包括第三色阻层，所述第三色阻层的至少部分位于所述第三子像素区域的开口区内；其中，

所述第二色阻层和所述第三色阻层中一者为红色色阻层，另一者为绿色色阻层。

在本发明的一种示例性实施例中，所述第一色阻层还位于所述第一子像素区域的非开口区内，且所述第一色阻层完全覆盖所述光吸收层。

在本发明的一种示例性实施例中，所述第二色阻层的上表面与所述第一色阻层的上表面以及所述第三色阻层的上表面均相齐平。