[发明专利]一种硅太阳能电池的钝化方法

权利要求书

1.一种硅太阳能电池的钝化方法，其特征在于，包括：

提供硅太阳能电池切片，所述硅太阳能电池切片具有切割面，所述切割面具有表层和亚表层，所述切割面的表层与所述切割面的亚表层相接，所述切割面的亚表层位于所述切割面的表层内侧；

采用钝化溶液中对所述切割面进行钝化处理；

进行所述钝化处理之后，对所述切割面进行光注入处理，所述光注入处理适于在所述切割面的表层和亚表层形成极性电荷，提高所述切割面的表层和亚表层的电势。

2.根据权利要求1所述的硅太阳能电池的钝化方法，其特征在于，所述光注入处理的照明功率密度为30kW/m²-60kW/m²；

优选的，所述光注入处理的时间为20s-30s；

优选的，所述光注入处理的光源包括LED光源、激光光源。

3.根据权利要求1所述的硅太阳能电池的钝化方法，其特征在于，所述钝化溶液为醌氢醌溶解于甲醇的溶液；

优选的，所述醌氢醌在甲醇溶液中的浓度为0.0005mol/L-0.005mol/L。

4.根据权利要求1所述的硅太阳能电池的钝化方法，其特征在于，对所述切割面进行钝化处理之前，还包括：对所述切割面进行化学清洗处理；

优选的，所述化学清洗处理的清洗液为氟化氢溶液；

优选的，所述氟化氢溶液的质量浓度为5％-10％；

优选的，所述化学清洗处理的温度为10℃-30℃；

优选的，所述化学清洗处理的时间为5min-10min。

5.根据权利要求4所述的硅太阳能电池的钝化方法，其特征在于，在所述化学清洗处理之后，所述钝化处理之前，还包括：对所述硅太阳能电池切片进行第一去离子水清洗。

6.根据权利要求1-5任一项所述的硅太阳能电池的钝化方法，其特征在于，所述钝化处理的温度为30℃-120℃，所述钝化处理的时间为10min-60min。

7.根据权利要求1-5任一项所述的硅太阳能电池的钝化方法，其特征在于，在所述钝化处理之后，所述光注入处理工艺之前，还包括：对所述硅太阳能电池切片进行第二去离子水清洗；

优选的，对所述硅太阳能电池切片进行第二去离子水清洗之后，对所述硅太阳能电池切片在70℃-90℃的条件下进行干燥处理。

8.根据权利要求7所述的硅太阳能电池的钝化方法，其特征在于，对所述硅太阳能电池切片进行干燥处理之后，对所述硅太阳能电池切片进行热退火处理；

优选的，所述热退火处理的温度为140℃-200℃。

9.根据权利要求1-5任一项所述的硅太阳能电池的钝化方法，其特征在于，所述切割面的表层的厚度为0.1nm-15nm，所述切割面的亚表层的厚度为1nm-20nm。

10.根据权利要求4或5所述的硅太阳能电池的钝化方法，其特征在于，在所述化学清洗处理之前，将所述硅太阳能电池切片竖直放置、且使得所述硅太阳能电池切片的切割面向上，使用氮气吹扫所述硅太阳能电池切片的切割面以将杂质去除。